[发明专利]等离子体刻蚀装置

权利要求书

1.一种等离子体刻蚀装置，用于原位执行深沟槽图形刻蚀制程和无图形刻蚀制程，其特征在于，该等离子体刻蚀装置包括：

反应腔室，其具有：

用于夹持待处理基片的静电夹盘；

可移动的环状遮蔽部件，设于所述基片外周侧并位于所述基片的上方；

驱动单元，用于驱动所述环状遮蔽部件在垂直方向上移动；以及

控制单元，与所述驱动单元相连，其在待进行所述深沟槽图形刻蚀制程时控制所述驱动单元驱动所述环状遮蔽部件定位于远离所述基片的第一位置，在待进行所述无图形刻蚀制程时控制所述驱动单元驱动所述环状遮蔽部件定位于邻近所述基片的第二位置；

其中所述环状遮蔽部件为遮蔽环或气体导向环；

当所述环状遮蔽部件为遮蔽环、所述遮蔽环定位于所述第一位置时，其下表面与所述基片上表面的距离为15～30mm；当所述环状遮蔽部件为气体导向环、所述气体导向环定位于所述第一位置时，其下表面与所述基片上表面的距离为30～60mm。

2.根据权利要求1所述的等离子体刻蚀装置，其特征在于，所述反应腔室还包括环绕所述基片的聚焦环，所述聚焦环位于环状遮蔽部件下方。

3.根据权利要求2所述的等离子体刻蚀装置，其特征在于，所述反应腔室还包括环绕所述聚焦环的覆盖环，所述覆盖环位于所述环状遮蔽部件下方且其上表面与所述聚焦环的上表面平齐。

4.根据权利要求1所述的等离子体刻蚀装置，其特征在于，所述遮蔽环的内周面为自上向下径向向外延伸的锥形面。

5.根据权利要求1所述的等离子体刻蚀装置，其特征在于，所述气体导向环的截面形状为矩形。

6.根据权利要求1所述的等离子体刻蚀装置，其特征在于，所述环状遮蔽部件定位于所述第二位置时，其下表面与所述基片上表面的距离为1～2mm。

7.根据权利要求6所述的等离子体刻蚀装置，其特征在于，所述环状遮蔽部件在水平方向上自所述基片的边缘径向向内延伸-5mm～5mm。

8.根据权利要求3所述的等离子体刻蚀装置，其特征在于，所述聚焦环和所述覆盖环的上表面突出于所述基片的上表面1～2mm。

9.根据权利要求8所述的等离子体刻蚀装置，其特征在于，所述环状遮蔽部件定位于所述第二位置时，其下表面贴合于所述聚焦环和所述覆盖环的上表面。

10.根据权利要求1所述的等离子体刻蚀装置，其特征在于，所述遮蔽环的材料选自石英或陶瓷，所述气体导向环的材料选自铝。

11.一种应用如权利要求1至10任一项所述的等离子体刻蚀装置的刻蚀方法，所述刻蚀方法包括原位执行深沟槽图形刻蚀制程和无图形刻蚀制程，其包括以下步骤：

将所述环状遮蔽部件定位至所述第一位置；

进行所述深沟槽图形刻蚀制程；

将所述环状遮蔽部件定位至所述第二位置；以及

进行所述无图形刻蚀制程。