[发明专利]一种存储器和存储器存储方法在审
申请号: | 201410345319.8 | 申请日: | 2014-07-18 |
公开(公告)号: | CN105304139A | 公开(公告)日: | 2016-02-03 |
发明(设计)人: | 苏志强;丁冲;张君宇;张现聚 | 申请(专利权)人: | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
主分类号: | G11C17/00 | 分类号: | G11C17/00;G11C16/06 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 胡彬;邓猛烈 |
地址: | 100083 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 存储器 存储 方法 | ||
1.一种存储器,所述存储器包括多个存储模块,其特征在于,所述存储模块包括主存储阵列和虚假存储阵列;
所述主存储阵列,用于存储信息;
所述虚假存储阵列,包括第一虚假字线块和第二虚假字线块,所述虚假存储阵列作为一次性编程只读存储区域,用于存储数据,其中,所述第一虚假字线块和所述第二虚假字线块分别位于所述主存储阵列的顶部和底部。
2.根据权利要求1所述的存储器,其特征在于,所述主存储阵列由多条字线组成。
3.根据权利要求1所述的存储器,其特征在于,所述第一虚假字线块由一条或多条虚假字线组成,位于所述主存储阵列的顶部,用于对所述主存储阵列进行保护以及作为一次性编程只读存储区域存储数据;
所述第二虚假字线块由一条或多条虚假字线组成,位于所述主存储阵列的底部,用于对所述主存储阵列进行保护以及作为一次性编程只读存储区域存储数据。
4.根据权利要求3所述的存储器,其特征在于,所述第一虚假字线块的虚假字线数量和所述第二虚假字线块的虚假字线数量相等。
5.根据权利要求1所述的存储器,其特征在于,所述主存储阵列为可编程可擦除存储阵列。
6.根据权利要求1所述的存储器,其特征在于,所述虚假存储阵列作为一次性编程只读存储区域,用于存储数据时,所述存储数据为芯片信息、芯片标识、芯片接口信息和用户信息。
7.根据权利要求1~6任一项所述的存储器,其特征在于,所述存储器为NOR快闪存储器或NAND快闪存储器。
8.一种存储器存储方法,其特征在于,所述存储器为权利要求1~7任一项所述的存储器,所述存储器存储方法包括:
为存储器的虚假存储阵列的虚假字线分配物理地址;
根据物理地址,对该已分配物理地址的虚假字线进行一次性编程存储。
9.根据权利要求8所述的存储方法,其特征在于,所述虚假存储阵列为所述存储器中的一个或多个或全部虚假存储阵列。
10.根据权利要求8所述的存储方法,其特征在于,所述虚假字线为所述存储器的一个虚假存储阵列的一条或多条或全部虚假字线;或者所述虚假字线为所述存储器的不同虚假存储阵列的多条虚假字线。
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