[发明专利]一种存储器和存储器存储方法

说明书

技术领域

本发明涉及存储器领域，尤其涉及一种存储器和存储器存储方法。

背景技术

在快闪(Flash)存储器中，存储区域用于存储数据，为可编程、可擦除和可读取存储区域。除了存储区域以外，存储器还有一块相对独立的区域用于存储，为一次性编程只读存储区域(OneTimeProgramming，OTP)，该OTP区域不同于存储区域，只允许编程一次。

参考图1，为现有技术提供的一种flash存储器的示意图，如图所示，flash存储器由OTP区域11和存储区域组成，其中，存储区域包括虚假字线阵列(DummyWordline，DWL)和多个主存储阵列(MainArray)。如图1所示，虚假字线阵列分别标记为第1个虚假字线21、第2个虚假字线22、第3个虚假字线23、第4个虚假字线24、第5个虚假字线25、第6个虚假字线26、…、第2i-1个虚假字线27和第2i个虚假字线28，其中，i为整数且i≥1。多个主存储阵列分别标记为第1个主存储阵列31(MainArrayBlock)、第2个主存储阵列32(MainArrayBlock)、第3个主存储阵列33(MainArrayBlock)、…、第i个主存储阵列34(MainArrayBlock)。以主存储阵列31为例，其顶部的虚假字线21是由一条或多条上虚假字线组成，相应的，该主存储阵列31的底部的虚假字线22是由一条或多条下虚假字线组成，并且，上虚假字线的条数等于下虚假字线的条数。其他主存储阵列的结构与主存储阵列31完全相同，并且，其他主存储阵列的上虚假字线和下虚假字线的条数，也分别与主存储阵列31的上虚假字线和下虚假字线相同。

在现有的flash存储器中，OTP区域11作为一次性编程只读存储区域，占据一部分存储器芯片面积，其作用在于保存flash存储器芯片信息、芯片标识(ID)和接口信息，以及用户的其他信息。存储区域的虚假字线阵列不用于存储数据，占据一部分存储器芯片面积，其作用仅在于保护主存储阵列。多个主存储阵列作为可擦除、可编程区域进行数据、信息的存储。

由此可知，现有技术提供的flash存储器中，占据一部分芯片面积的OTP区域为一次性可编程只读存储区域，虚假字线阵列也占据一部分芯片面积却不能为用户所用，不存储数据，使得目前的flash存储器芯片面积较大、成本较高。

发明内容

本发明提供一种存储器和存储器存储方法，通过将虚假存储阵列作为一次性编程只读的虚拟存储区域，以去除现有存储器的OTP区域，节省了存储芯片面积和降低了存储芯片成本。

第一方面，本发明提供了一种存储器，所述存储器包括多个存储模块，所述存储模块包括主存储阵列和虚假存储阵列；

所述主存储阵列，用于存储信息；

所述虚假存储阵列，包括第一虚假字线块和第二虚假字线块，所述虚假存储阵列作为一次性编程只读存储区域，用于存储数据，其中，所述第一虚假字线块和所述第二虚假字线块分别位于所述主存储阵列的顶部和底部。

进一步地，所述主存储阵列由多条字线组成。

进一步地，所述第一虚假字线块由一条或多条虚假字线组成，位于所述主存储阵列的顶部，用于对所述主存储阵列进行保护以及作为一次性编程只读存储区域存储数据；

所述第二虚假字线块由一条或多条虚假字线组成，位于所述主存储阵列的底部，用于对所述主存储阵列进行保护以及作为一次性编程只读存储区域存储数据。

进一步地，所述第一虚假字线块的虚假字线数量和所述第二虚假字线块的虚假字线数量相等。

进一步地，所述主存储阵列为可编程可擦除存储阵列。

进一步地，所述虚假存储阵列作为一次性编程只读存储区域，用于存储数据时，所述存储数据为芯片信息、芯片标识、芯片接口信息和用户信息。

进一步地，所述存储器为NOR快闪存储器或NAND快闪存储器。

第二方面，本发明提供了一种存储器的存储方法，所述存储器为上述第一方面所述的存储器，所述存储器存储方法包括：

为存储器的虚假存储阵列的虚假字线分配物理地址；

根据物理地址，对该已分配物理地址的虚假字线进行一次性编程存储。

进一步地，所述虚假存储阵列为所述存储器中的一个或多个或全部虚假存储阵列。

进一步地，所述虚假字线为所述存储器的一个虚假存储阵列的一条或多条或全部虚假字线；或者所述虚假字线为所述存储器的不同虚假存储阵列的多条虚假字线。