[发明专利]一种用于监控介质膜厚的测试电容结构及测试方法

说明书

技术领域

本发明涉及测试电容技术领域，尤其涉及一种用于监控介质膜厚的测试电容结构及测试方法

背景技术

在显示器的制造过程中，为了确认每个工艺的处理结果是否为可接受或优选的，应该测试器件或结构的厚度、电阻、密集度、污染度、临界尺寸以及电子特性等。在这样的测量过程中为了不破坏器件，在面板的预定部分上形成称为测试元件组(TEG)的图案，与实际执行处理条件相同的条件执行处理，然后通过测量TEG图案来评估相应的处理或器件的特点。

在显示器的制造过程中，需要进行多次的成膜过程，如氮化硅膜、氧化硅膜，光阻胶膜等，膜厚是否适当会极大地影响显示器的最终性能，因此监控膜厚非常重要。对于膜厚的监控通常采用测试电容的方法，即形成电容结构，待测的膜作为介质膜形成在上下极板之间，并且介质膜的介电常数固定，通过测试电容反映膜厚的大小，电容小，则介质膜比较厚，电容大，则介质膜比较薄。在这个测试过程中电容的结构直接影响着测试结果的准确性，进而影响对膜厚的监控。

图1是现有技术中测试电容结构的示意图，如图1所示，上极板2和下极板1交叠设置，监控介质膜形成于上下极板交叠部分3之间,假设需要测量面积为a×a的介质膜，则使交叠部分3的面积为a×a，但是为了输入测试信号，上极板2包括与第一测试垫4连接的突出部分2-1，下极板1也包括与第二测试垫连接的突出部分1-1，则上极板2的突出部分2-1与下极板1存在面积为x×y的交叠部分，则实际测得的电容为C＝ε×(a×a+x×y)/d,多出一个电容值ε×x×y/d，影响测试结果，进而影响对介质膜厚的监控。

因此目前需要一种准确地监控介质膜厚的测试电容结构及测试方法。

发明内容

本发明的目的在于提出一种监控介质膜厚的测试电容结构及测试方法，能够得到理想状态的电容值，精确地监控介质膜厚。

为达此目的，本发明采用以下技术方案：

一种用于监控介质膜厚的测试电容结构，包括：上极板，所述上极板包括用于与第一测试垫连接的第一突出部分；下极板，所述下极板包括用于与第二测试垫连接的第二突出部分；待监控的介质膜设置于所述上极板和下极板之间，所述上极板和下极板设置为使极板的突出部分不与另一极板的任何部分交叠。

其中，所述上极板和下极板错开交叠设置。

其中，所述待监控的介质设置在上下极板交叠部分之间。

其中，所述上极板和下极板的形状都为矩形。

其中，所述介质的介电常数固定。

本发明还提供了一种监控介质膜厚的电容测试方法，包括：提供一下极板，所述下极板的第二突出部分与第一测试垫连接；在所述下极板上形成待监控的介质膜；在所述介质膜上提供上基板，所述上极板的第一突出部分与第二测试垫连接，所述上极板和下极板设置为使极板的突出部分不与另一极板的任何部分交叠，在所述第一测试垫和第二测试垫输入信号，进行电容的测试，进而监控介质膜的厚度。

其中，所述上极板和下极板错开交叠设置。

其中，所述待监控的介质设置在上下极板交叠部分之间。

其中，所述上极板和下极板的形状都为矩形。

其中，所述介质的介电常数固定。

本发明提出的监控介质膜厚的测试电容结构及测试方法，能够得到理想状态的电容值，更接近实际工艺的实际数据，精确地监控介质膜厚。

附图说明

图1为现有技术中的测试电容结构的示意图。

图2为具体实施方式中提供的测试电容结构的示意图。

其中，附图标记说明如下：

1、下极板；1-1、下极板的突出部分；2、上极板；2-1、上极板的突出部分；3、上下极板交叠的部分；4、第二测试垫；5、第一测试垫。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。

本实施方式一种用于监控介质膜厚的测试电容结构，其结构示意图如图2所示。该结构包括：上极板201，所述上极板包括第一突出部分201-1，所述第一突出部分201-1用于与第一测试垫501连接；下极板101，所述下极板包括第二突出部分101-1，所述第二突起部分101-1用于与第二测试垫401连接；所述上极板和下极板设置为使极板的突出部分不与另一极板的任何部分交叠。