[发明专利]一种具有低多晶掺杂浓度的单栅非易失存储单元

权利要求书

1.一种具有低多晶掺杂浓度的单栅非易失存储单元，其特征在于：包括控制管、隧穿管以及选择管，控制管和选择管为PMOS晶体管，隧穿管为改进的具有低多晶掺杂浓度的PMOS管；控制管、隧穿管的栅极连接在一起，作为存储电荷的浮栅，该浮栅与外界通过绝缘层隔离；控制管驻留在第一个N阱中，隧穿管和选择管驻留在第二个N阱中；控制管的源极、漏极与第一个N阱连接在一起作为控制端子，隧穿管的源极与第二个N阱连接在一起作为隧穿端子，选择管的栅极作为选择端子，选择管的源极与隧穿管的漏极连接，选择管的漏极输出数据。

2.根据权利要求1所述的具有低多晶掺杂浓度的单栅非易失存储单元，其特征在于：所述改进的具有低多晶掺杂浓度的PMOS管，其是在PMOS管的栅极进行HR注入，HR注入的杂质类型为P型，且浓度低于P+注入。

3.根据权利要求2所述的具有低多晶掺杂浓度的单栅非易失存储单元，其特征在于：控制管、隧穿管以及选择管均为单栅结构，且具有相同的栅极氧化物厚度。

4.根据权利要求2所述的具有低多晶掺杂浓度的单栅非易失存储单元，其特征在于：所述的隧穿管的栅极区面积小于控制管的栅极区面积。

5.根据权利要求2所述的具有低多晶掺杂浓度的单栅非易失存储单元，其特征在于：所述控制端子和隧穿端子，这两端容性耦合的电势，叠加后形成浮栅上的电势。

6.根据权利要求2所述的具有低多晶掺杂浓度的单栅非易失存储单元，其特征在于：所述控制端子、隧穿端子与选择端子在编程操作、擦除操作、读取操作时分别施加不同的电压组合。