[发明专利]闪存存储器编程禁止方案

权利要求书

1.一种用于对连接至位线的NAND串的选择的存储器单元进行编程的方法，该方法包括：

开启所述NAND串的串选择晶体管；

当用编程禁止电压偏置所述位线时，通过以下来预充电选择的存储器单元的沟道至初级提升的电压电平：

将连接至所述NAND串的未选择的存储器单元的字线驱动至第一传递电压，以及

将选择的字线驱动至第二传递电压，所述第二传递电压小于所述第一传递电压，并且使得在预充电期间所述选择的存储器单元的沟道能够导通；

当连接至所述选择的存储器单元的选择的字线处于编程电压电平时，将所述选择的存储器单元和所述NAND串去耦,

其中，开启包括将连接至所述串选择晶体管的串选择信号驱动至电压电源电平，并且随后在预充电期间将所述串选择信号降低至泄漏最小化电压。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，去耦包括将所述选择的字线从所述第二传递电压驱动至所述编程电压电平。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，去耦包括电关闭与所述选择的存储器单元相邻的第一晶体管装置和第二晶体管装置中的至少一个。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一晶体管装置包括连接至所述位线的所述NAND串的串选择晶体管，以及所述第二晶体管装置包括在所述选择的存储器单元和连接至所述NAND串的电源线之间的下部未选择存储器单元。

5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一晶体管装置包括在所述选择的存储器单元和所述位线之间的上部未选择存储器单元，以及所述第二晶体管装置包括在所述选择的存储器单元和连接至所述NAND串的电源线之间的下部未选择存储器单元。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，电关闭包括将连接至所述上部未选择存储器单元的上部字线和连接至所述下部未选择存储器单元的下部字线驱动至小于所述第一传递电压的第三传递电压。

7.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一晶体管装置包括在所述选择的存储器单元和所述位线之间的上部未选择存储器单元，以及所述第二晶体管装置包括连接至电源线的所述NAND串的接地选择晶体管。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述接地选择晶体管在预充电之前关闭，以及电关闭包括将连接至所述上部未选择存储器单元的上部字线驱动至小于所述第一传递电压的第三传递电压。

9.一种用于对耦合至偏置到编程电压或编程禁止电压的位线的NAND串进行编程的方法，包括：

用第一传递电压驱动在选择的字线和所述位线之间的上部字线，连接至上部字线的所述NAND串的存储器单元通过所述第一传递电压充分开启以将所述编程电压或所述编程禁止电压耦合至连接至所述选择的字线的选择的存储器单元；

当所述位线被偏置到所述编程电压时，用所述第一传递电压驱动所述选择的字线以将所述选择的存储器单元的沟道耦合至所述编程电压，以及当所述位线被偏置到所述编程禁止电压时，将所述存储器单元的沟道预充电至初级提升的电压电平；

在用所述第一传递电压驱动所述上部字线和驱动所述选择的字线的同时将所述选择的字线和电源线之间的下部字线驱动至第二传递电压，所述第二传递电压小于所述第一传递电压并高于编程的存储器单元的阈值电压；

当所述位线被偏置到所述编程电压时，用编程电压电平驱动所述选择的字线以编程所述选择的存储器单元，以及当所述位线被偏置到所述编程禁止电压时，禁止对所述选择的存储器单元的编程；以及

在所述选择的字线被驱动至所述编程电压电平时，将所述选择的存储器单元和连接至所述上部字线的存储器单元去耦。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，去耦包括在用所述编程电压电平驱动所述选择的字线的同时将与所述选择的字线相邻的下部字线的所述第二传递电压降低至第三电压。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第三电压低于所述第二传递电压并大于0V，当所述选择的字线处于所述编程电压电平时，关闭连接至所述下部字线的存储器单元。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第三电压是用于当所述选择的字线处于所述编程电压电平时关闭连接至所述下部字线的存储器单元的关闭电压。