[发明专利]蚀刻工件的方法、蚀刻工件的装置及非瞬态计算机可读介质有效
申请号: | 201410349106.2 | 申请日: | 2014-07-22 |
公开(公告)号: | CN104332388B | 公开(公告)日: | 2017-10-31 |
发明(设计)人: | S.穆林格;K.皮尔希 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/66;H01L21/67 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 张涛,徐红燕 |
地址: | 德国瑙伊比*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 蚀刻 工件 方法 装置 瞬态 计算机 可读 介质 | ||
1.一种用于蚀刻工件的方法,所述方法包括:
确定用于蚀刻剂分配器的多个位置的多个基准蚀刻曲线,每个基准蚀刻曲线与所述蚀刻剂分配器的所述多个位置中的各个位置对应;
确定所述工件的厚度曲线;
基于所确定的厚度曲线和所述多个基准蚀刻曲线来确定用于所述蚀刻剂分配器的所述多个位置中的每个位置的各个蚀刻持续时间,以减少所述工件的总厚度变化;以及
对于所述多个位置中的每个位置经由所述蚀刻剂分配器在所述工件之上分配蚀刻剂到达所确定的各个蚀刻持续时间,
其中,在所述工件之上分配所述蚀刻剂包括:
将所述蚀刻剂分配器移动到所述多个位置中的第一位置;
随后在所述工件之上分配所述蚀刻剂达到对于所述第一位置所确定的相应的蚀刻持续时间;
随后将所述蚀刻剂分配器从所述第一位置移动到所述多个位置中的第二位置;以及
随后在所述工件之上分配所述蚀刻剂达到对于所述第二位置所确定的相应的蚀刻持续时间,
其中,在把所述蚀刻剂分配器从所述第一位置移动到所述多个位置中的所述第二位置的同时,停止在所述工件之上分配所述蚀刻剂。
2.如权利要求1所述的方法,其中,与所述各个位置对应的所述基准蚀刻曲线包括当在所述蚀刻剂分配器位于基准工件之上的所述各个位置处并且所述蚀刻剂经由所述蚀刻剂分配器在所述基准工件之上得以分配的情况下从所述基准工件蚀刻材料时所获得的蚀刻曲线,其中所述基准工件具有与所述工件相同的尺寸和/或形状。
3.如权利要求1所述的方法,其中,确定所述工件的所述厚度曲线包括:确定所述工件沿着穿过所述工件的中心的直线的厚度。
4.如权利要求3所述的方法,其中,所述工件是圆形工件,并且其中,穿过所述工件的中心的直线是所述圆形工件的直径。
5.如权利要求1所述的方法,其中,确定所述工件的所述厚度曲线包括无接触测量工艺和接触测量工艺中的至少一个。
6.如权利要求1所述的方法,其中,确定用于所述蚀刻剂分配器的所述多个位置的所述多个基准蚀刻曲线包括:
a)确定基准工件的初始厚度曲线;
b)在所述多个位置中的各个位置处在所述基准工件之上定位所述蚀刻剂分配器;
c)经由所述蚀刻剂分配器在所述基准工件之上分配所述蚀刻剂达到预定基准蚀刻持续时间;
d)随后确定所述基准工件的最终厚度曲线;
e)从所确定的初始厚度曲线和所确定的最终厚度曲线来确定所述基准蚀刻曲线;以及
f)对于所述多个位置中的每个位置执行a)—e),
其中所述基准工件具有与所述工件相同的尺寸和/或形状。
7.如权利要求6所述的方法,其中,e)包括:
计算所述最终厚度曲线与所述初始厚度曲线之间的差,并且除以所述预定基准蚀刻持续时间。
8.如权利要求6所述的方法,还包括:
在所述基准工件之上分配所述蚀刻剂的同时旋转所述基准工件。
9.如权利要求1所述的方法,其中,所述蚀刻剂分配器的所述多个位置在所述工件的表面上的投影跟踪穿过所述工件的中心并且被横向部署在所述工件的边界内的弧线。
10.如权利要求1所述的方法,还包括:
在所述工件之上分配所述蚀刻剂的同时旋转所述工件。
11.一种用于蚀刻工件的方法,所述方法包括:
确定用于蚀刻剂分配器的多个位置的多个基准蚀刻曲线,每个基准蚀刻曲线与所述蚀刻剂分配器的所述多个位置中的各个位置对应,其中,所述蚀刻剂分配器的所述多个位置中的各个位置位于所述工件的表面上方的各个高度处,与所述多个位置中的所述各个位置对应的所述各个高度相等;
确定所述工件的厚度曲线;
基于所确定的厚度曲线和所述多个基准蚀刻曲线来确定用于所述蚀刻剂分配器的所述多个位置中的每个位置的各个蚀刻持续时间,以减少所述工件的总厚度变化;以及
对于所述多个位置中的每个位置经由所述蚀刻剂分配器在所述工件之上分配蚀刻剂到达所确定的各个蚀刻持续时间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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