[发明专利]蚀刻工件的方法、蚀刻工件的装置及非瞬态计算机可读介质

说明书

技术领域

各个方面涉及用于蚀刻工件的方法、一种被配置为蚀刻工件的装置以及一种非瞬态计算机可读介质。

背景技术

工件可以包括于或使用在可以用在很多技术和产业（例如电力产业，例如电力应用产业）的大范围的设备（例如太阳能板）中。工件可以包括或可以是晶片（例如半导体晶片，例如硅晶片）和/或载体（例如玻璃载体）。

工件和/或包括所述工件或产生自所述工件的设备（例如太阳能板）的寿命、可靠性和/或性能（例如电性能、速度、容量等）可能取决于工件的厚度的均匀性，其可以通过工件的总厚度变化得以量化。在工件的总厚度变化减少或最小化的情况下，可以改进工件和/或包括所述工件或产生自所述工件的设备的寿命、可靠性和/或性能。换句话说，具有跨工件的更均匀的厚度的工件可以增加工件和/或包括所述工件或产生自所述工件的设备的寿命、可靠性和/或性能。替换地，或此外，在工件的厚度至少基本上等于可以指定以提供工件和/或包括所述工件或产生自所述工件的设备的更长寿命、更大可靠性和/或更好性能的预定目标厚度的情况下，可以改进工件和/或包括所述工件或产生自所述工件的设备的寿命、可靠性和/或性能。

工件的厚度和/或总厚度变化可以取决于对工件所执行的工艺（例如薄化工件）。随着技术进展，当前用于薄化工件的方法可能不足以提供工件和/或设备的所要求的寿命、可靠性和/或性能可能需要的总厚度变化和/或预定目标厚度。可能需要新的薄化工件的方式。

发明内容

可以提供一种用于蚀刻工件的方法，所述方法可以包括：确定用于蚀刻剂分配器的多个位置的多个基准蚀刻曲线，每个基准蚀刻曲线与所述蚀刻剂分配器的所述多个位置中的各个位置对应；确定所述工件的厚度曲线；基于所确定的厚度曲线和所述多个基准蚀刻曲线来确定用于所述蚀刻剂分配器的所述多个位置中的每个位置的各个蚀刻持续时间，以减少所述工件的总厚度变化；以及对于所述多个位置中的每个位置经由所述蚀刻剂分配器在所述工件之上分配蚀刻剂到达所确定的各个蚀刻持续时间。

附图说明

在附图中，相似的参考标号通常贯穿不同的图提及相同的部分。附图并不一定按比例，替代地重点通常被放在图解本发明的原理上。在以下描述中，参照以下附图描述本发明各个方面，其中：

图1A至图1D示出用于薄化工件的常规方法。

图2示出已薄化的工件的平面图、已薄化的工件的厚度曲线以及已薄化的工件的总厚度变化。

图3示出用于蚀刻工件的方法。

图4A-1至图4E示出用于确定用于蚀刻剂分配器的多个位置的多个基准蚀刻曲线的处理流程。

图5A至图5D示出用于经由蚀刻剂分配器在工件上分配蚀刻剂的处理流程。

图6示出工件的第一厚度曲线与工件的第二厚度曲线的比较。

图7示出用于蚀刻工件的另一方法。

图8示出可以被配置为蚀刻工件的装置。

图9示出存储程序的非瞬态计算机可读介质。

图10示出流程图，该流程图示出用于蚀刻工件的方法的示例。

具体实施方式

以下详细描述提及随附的附图，附图通过图解的方式示出其中可以实践本发明的具体细节和方面。足够详细地描述这些方面，以使得本领域技术人员能够实践本发明。在不脱离本发明的范围情况下，可以利用其它方面，并且可以作出结构、逻辑和电改变。由于一些方面可以与一个或更多个其它方面组合以形成新的方面，因此各个方面并不一定是相互排除的。对于结构或设备描述各个方面，并且对于方法描述各个方面。可以理解，与结构或设备相关地描述的一个或更多个（例如所有）方面可以等同地应用于方法，并且反之亦然。

词语‌“示例性‌”在此用于意味着‌“充当示例、实例或图解‌”。在此描述为‌“示例性‌”的任何方面或设计不一定解释为优于或利于其它方面或设计。

在此用于描述在一侧或表面‌“之上‌”形成特征（例如层）所使用的词语‌“之上‌”可以用于意味着该特征（例如层）可以‌“直接形成在隐含侧或表面上‌”（例如与之直接接触）。在此用于描述在一侧或表面‌“之上‌”形成特征（例如层）所使用的词语‌“之上‌”可以用于意味着该特征（例如层）可以‌“间接形成在隐含侧或表面上‌”，其中，一个或更多个附加层被布置在隐含侧或表面与所形成的层之间。