[发明专利]衬底处理装置及半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种衬底处理装置，经由作为气体分散机构的喷头向处理空间供给气体并对该处理空间内的衬底进行处理，其特征在于，具有：

与所述喷头连接的气体供给管；

与所述喷头连接的气体排气管；和

清洗气体供给系统，其与所述气体供给管和所述气体排气管连接，并从所述气体供给管和所述气体排气管双方向所述喷头内供给清洗气体。

2.如权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，

具有将所述气体供给管和所述气体排气管连接的连接管，

所述清洗气体供给系统在比所述连接管靠所述气体供给管中的气体供给方向上游侧的位置与该气体供给管连接。

3.如权利要求2所述的衬底处理装置，其特征在于，

具有：第一阀，其设置在与所述连接管向所述气体排气管的连接部位相比靠该气体排气管的气体排气方向下游侧的位置，且进行该气体排气管的气体流路开闭；和

第二阀，其设置在所述连接管上，且进行该连接管的气体流路开闭。

4.如权利要求2所述的衬底处理装置，其特征在于，

所述清洗气体供给系统具有对供给到所述气体供给管内的清洗气体进行等离子体激发的等离子体单元，并且，

所述连接管在比所述等离子体单元靠所述气体供给管中的气体供给方向下游侧的位置与该气体供给管连接。

5.如权利要求2所述的衬底处理装置，其特征在于，

具有与所述气体供给管连接且向该气体供给管内供给对所述衬底进行处理的处理气体的处理气体供给系统，并且，

所述连接管在与所述处理气体供给系统向所述气体供给管的连接部位相比靠气体供给方向上游侧的位置与该气体供给管连接。

6.如权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，

所述气体排气管与所述喷头的连接部位的形状形成为包围所述气体供给管的管外周的环状。

7.如权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，

所述气体排气管与所述喷头的连接部位由配置在所述气体供给管周围的多条管路构成。

8.如权利要求3所述的衬底处理装置，其特征在于，

具有控制器，其控制基于所述清洗气体供给系统进行的向所述气体供给管内的清洗气体供给动作、基于所述第一阀进行的所述气体排气管的气体流路开闭动作、及基于所述第二阀进行的所述连接管的气体流路开闭动作，并且，

所述控制器进行第一清洗处理和第二清洗处理，其中，在第一清洗处理中，关闭所述第二阀并将来自所述清洗气体供给系统的清洗气体从所述气体供给管向所述喷头内供给，在第二清洗处理中，关闭所述第一阀且打开所述第二阀并将来自所述清洗气体供给系统的清洗气体从所述气体供给管及所述气体排气管双方向所述喷头内供给。

9.如权利要求8所述的衬底处理装置，其特征在于，

所述控制器使所述第一清洗处理和所述第二清洗处理的执行频率不同。

10.如权利要求8所述的衬底处理装置，其特征在于，

所述控制器在所述第一清洗处理进行了规定次数后进行所述第二清洗处理。

11.如权利要求8所述的衬底处理装置，其特征在于，

所述控制器在所述第一清洗处理进行了规定时间后开始所述第二清洗处理。

12.如权利要求8所述的衬底处理装置，其特征在于，

所述控制器在进行所述第一清洗处理的情况下和进行所述第二清洗处理的情况下，使从所述清洗气体供给系统供给的清洗气体的流量不同。

13.如权利要求8所述的衬底处理装置，其特征在于，

所述控制器进行打开所述第二阀时的开度调整。

14.如权利要求8所述的衬底处理装置，其特征在于，

所述控制器在进行所述第二清洗处理的情况下以规定开度打开所述第一阀。

15.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，具有：

经由作为气体分散机构的喷头向处理空间供给气体并对该处理空间内的衬底进行处理的衬底处理工序；和

从气体供给管和气体排气管双方向该喷头内供给清洗气体的清洗工序，其中，所述气体供给管为了向所述喷头内供给气体而与该喷头连接，所述气体排气管为了从该喷头内进行气体排气而与该喷头连接。

16.如权利要求15所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

在所述清洗工序中，选择性地进行从所述气体供给管向所述喷头内供给清洗气体的第一清洗处理、以及从所述气体供给管和所述气体排气管双方向所述喷头内供给清洗气体的第二清洗处理。