[发明专利]衬底处理装置及半导体器件的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及衬底处理装置及半导体器件的制造方法。

背景技术

一般，在半导体器件的制造工序中，使用对晶圆等衬底进行成膜处理等工艺处理的衬底处理装置。作为衬底处理装置，公知有对衬底一片一片进行处理的枚叶式衬底处理装置。在枚叶式衬底处理装置中，存在如下构成的衬底处理装置：为了谋求对衬底的气体供给的均匀化，经由作为气体分散机构的喷头向处理空间供给处理气体，来对该处理空间内的衬底进行处理。

在这样的衬底处理装置中，为了除去附着在喷头或处理空间等上的不需要的膜(反应副生成物等)，利用清洗气体进行清洗处理。作为进行清洗处理的枚叶式衬底处理装置，公知有例如专利文献1、2所记载的技术。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2005-109194号公报

专利文献2：日本特开2011-228546号公报

发明内容

在上述那样具有喷头的枚叶式衬底处理装置中，期望高效地从喷头向处理空间供给处理气体(有助于成膜的气体)。另一方面，在清洗处理中，为了不遗漏地除去附着在喷头内的膜，期望将清洗气体不仅供给到处理空间，也高效地供给到喷头的期望部位(例如容易形成反应生成物的部位)。

因此，本发明的目的在于提供一种衬底处理装置及半导体器件的制造方法，能够将清洗气体高效地供给到喷头内的期望部位，由此能够提高清洗效率。

根据本发明的一个方式，

提供一种衬底处理装置，经由作为气体分散机构的喷头向处理空间供给气体并对该处理空间内的衬底进行处理，具有：

与上述喷头连接的气体供给管；

与上述喷头连接的气体排气管；和

清洗气体供给系统，其与上述气体供给管和上述气体排气管连接，并从上述气体供给管和上述气体排气管双方向上述喷头内供给清洗气体。

根据本发明的另一方式，

提供一种半导体器件的制造方法，具有：

经由作为气体分散机构的喷头向处理空间供给气体并对该处理空间内的衬底进行处理的衬底处理工序；和

从气体供给管和气体排气管双方向该喷头内供给清洗气体的清洗工序，其中，上述气体供给管为了向上述喷头内供给气体而与该喷头连接，上述气体排气管为了从该喷头内进行气体排气而与该喷头连接。

发明效果

根据本发明，能够将清洗气体高效地供给到喷头内的期望部位，由此能够提高清洗效率。

附图说明

图1是本发明的第一实施方式的枚叶式衬底处理装置的概略结构图。

图2是表示本发明的第一实施方式的衬底处理工序的流程图。

图3是表示图2中的成膜工序的详细情况的流程图。

图4是表示图1中的第二排气管的变形例的图。

图5是表示图1中的第二排气管的其他变形例的图。

图6是表示图2中的清洗工序的一个具体例的详细情况的流程图。

图7是本发明的第二实施方式的枚叶式衬底处理装置的概略结构图。

附图标记说明

100、102…衬底处理装置

200…晶圆(衬底)

201…处理空间

230…喷头

232…缓冲空间

242…公共气体供给管

262…第二排气管

249a…连接管

249b、268…阀

具体实施方式

＜本发明的第一实施方式＞

以下，参照附图说明本发明的第一实施方式。

(1)衬底处理装置的结构

本实施方式的衬底处理装置构成为对成为处理对象的衬底一片一片进行处理的枚叶式衬底处理装置。

作为成为处理对象的衬底，例如，可以列举制入于半导体器件的半导体晶圆衬底(以下，仅称为“晶圆”)。

作为对这样的衬底进行的处理，可以列举蚀刻、灰化(ashing)，成膜处理等，但在本实施方式中特别进行成膜处理。

以下，参照图1说明本实施方式的衬底处理装置的结构。图1是本实施方式的枚叶式衬底处理装置的概略结构图。

(处理容器)