[发明专利]NAND闪存器件的形成方法

权利要求书

1.一种NAND闪存器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底具有核心器件区和位于所述核心器件区边缘的外围电路区；

在所述核心器件区上形成多个分立的第一栅极结构和位于所述第一栅极结构上的第一硬掩膜层，所述第一栅极结构包括第一栅极和第一栅介质层；

在所述第一栅极结构两侧形成第一介质层；

刻蚀所述第一介质层，直至形成暴露所述第一栅极侧壁的沟槽；

对所述沟槽的侧壁进行冲刷工艺，以修复损伤并形成覆盖所述沟槽侧壁的保护层；

在进行所述冲刷工艺之后，去除所述第一硬掩膜层。

2.如权利要求1所述的NAND闪存器件的形成方法，其特征在于，所述冲刷工艺采用的气体包括O₂，O₂的流量范围为50sccm～300sccm，所述冲刷工艺采用的时间范围为10s～60s。

3.如权利要求1所述的NAND闪存器件的形成方法，其特征在于，所述冲刷工艺采用的气体包括N₂，N₂的流量范围为50sccm～500sccm，所述冲刷工艺采用的时间范围为30s～100s。

4.如权利要求2或3所述的NAND闪存器件的形成方法，其特征在于，所述冲刷工艺采用的温度范围为35℃～60℃。

5.如权利要求2所述的NAND闪存器件的形成方法，其特征在于，所述第一栅极为浮栅，在去除所述第一硬掩膜层之后，所述形成方法还包括在所述第一栅极的侧壁和顶部形成ONO层的步骤。

6.如权利要求5所述的NAND闪存器件的形成方法，其特征在于，在去除所述第一硬掩膜层之后，且在形成所述ONO层之前，还包括对所述沟槽进行清洗的步骤。

7.如权利要求1所述的NAND闪存器件的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺刻蚀所述第一介质层，所述干法刻蚀工艺采用的气体包括C₄F₆、Ar和O₂，C₄F₆的流量范围为10sccm～20sccm，Ar的流量范围为400sccm～1000sccm，O₂的流量范围为8sccm～20sccm。

8.如权利要求1所述的NAND闪存器件的形成方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺刻蚀所述第一介质层，所述湿法刻蚀工艺采用的溶液包括稀氢氟酸，所述氢氟酸的质量浓度为0.1％～50％，所述稀氢氟酸的温度范围为0℃～90℃。

9.如权利要求1所述的NAND闪存器件的形成方法，其特征在于，在形成所述沟槽之后，且在进行所述冲刷工艺之前，还包括对所述沟槽进行清洗的步骤。

10.如权利要求1所述的NAND闪存器件的形成方法，其特征在于：

在所述核心器件区上形成所述第一栅极结构和所述第一硬掩膜层时，在所述外围电路区上形成至少两个第二栅极结构和位于所述第二栅极结构上的第二硬掩膜层；

在所述第一栅极结构两侧形成第一介质层时，在相邻所述第二栅极结构之间形成第二介质层；

在刻蚀所述第一介质层之前，形成保护层覆盖所述第二介质层和所述第二硬掩膜层。

11.如权利要求10所述的NAND闪存器件的形成方法，其特征在于，在形成所述第一介质层和所述第二介质层之后，且在形成所述保护层之前，还包括对所述第一介质层和所述第二介质层进行平坦化的步骤。

12.如权利要求1所述的NAND闪存器件的形成方法，其特征在于，所述第一硬掩膜层的材料为氮化硅层，采用热磷酸去除所述第一硬掩膜层。

13.如权利要求1所述的NAND闪存器件的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料为光刻胶。