[发明专利]一种阵列基板及显示面板在审
| 申请号： | 201410350526.2 | 申请日： | 2014-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN104155818A | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | 马禹 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;陈源 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 显示 面板 | ||
1.一种阵列基板，包括交叉设置的第一引线和第二引线，所述第一引线和第二引线分别位于不同层，且二者之间设有绝缘层，其特征在于，所述绝缘层包括位于所述第一引线和第二引线交叠的区域的第一绝缘层和位于上述交叠区域外的第二绝缘层，所述第一绝缘层用于减小所述第一引线和第二引线在二者交叠区域的耦合电容。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘层包括第一介质层，所述第一介质层的介电常数小于所述第二绝缘层的介电常数。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一介质层的厚度等于或大于所述第二绝缘层的厚度。
4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘层还包括第二介质层，所述第二介质层的材料与所述第二绝缘层的材料相同。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一介质层和第二介质层的厚度之和等于或大于所述第二绝缘层的厚度。
6.根据权利要求4或5所述的阵列基板，其特征在于，所述第二介质层的厚度等于或大于所述第二绝缘层的厚度。
7.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二绝缘层的材料为SiNx1。
8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第一介质层的材料为SiO2；或者
所述第一介质层的材料为SiNx2，且x2＞x1。
9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘层的材料和第二绝缘层的材料相同，且所述第一绝缘层的厚度大于所述第二绝缘层的厚度。
10.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一引线为数据线，所述第二引线为公共电极线和/或栅极线。
11.一种显示面板，包括阵列基板，其特征在于，所述阵列基板采用权利要求1-10中任意一项所述的阵列基板。
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