[发明专利]一种阵列基板及显示面板

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，具体地，涉及一种阵列基板及显

示面板。

背景技术

在薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，以下简称为TFT-LCD)中，阵列基板上设有多行栅极线和多列数据线。多行栅极线和多列数据线分别沿阵列基板的横向和纵向依次设置。在相邻的两行栅极线和相邻的两列数据线之间的区域形成有像素电极和薄膜晶体管；其中，薄膜晶体管的栅极与栅极线连接，源极与数据线连接，漏极与像素电极连接。此外，在阵列基板上还设有公共电极线，用于向公共电极输出电压信号(Vcom信号)；具体地，公共电极线一般与栅极线平行设置。

在上述阵列基板中，在公共电极线与数据线，以及栅极线与数据线的交叠区域，会产生耦合电容；以公共电极线为例，该耦合电容会将Vcom信号拉偏，从而使Vcom信号不稳定且不均匀，导致公共电极上的电压不稳定，使TFT-LCD会出现闪烁、残像等不良，影响TFT-LCD的画面显示效果。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种阵列基板及显示面板，其可以减小交叉设置的第一引线和第二引线在其二者的交叠区域处产生的耦合电容，从而减小第一引线和第二引线之间的信号干扰，有助于提高显示画面的品质。

为实现本发明的目的而提供一种阵列基板，包括交叉设置的第一引线和第二引线，所述第一引线和第二引线分别位于不同层，且二者之间设有绝缘层，所述绝缘层包括位于所述第一引线和第二引线交叠的区域的第一绝缘层和位于上述交叠区域外的第二绝缘层，所述第一绝缘层用于减小所述第一引线和第二引线在二者交叠区域的耦合电容。

其中，所述第一绝缘层包括第一介质层，所述第一介质层的介电常数小于所述第二绝缘层的介电常数。

其中，所述第一介质层的厚度等于或大于所述第二绝缘层的厚度。

其中，所述第一绝缘层还包括第二介质层，所述第二介质层的材料与所述第二绝缘层的材料相同。

其中，所述第一介质层和第二介质层的厚度之和等于或大于所述第二绝缘层的厚度。

其中，所述第二介质层的厚度等于或大于所述第二绝缘层的厚度。

其中，所述第二绝缘层的材料为SiN_x1。

其中，所述第一介质层的材料为SiO₂；或者，所述第一介质层的材料为SiN_x2，且x2＞x1。

其中，所述第一绝缘层的材料和第二绝缘层的材料相同，且所述第一绝缘层的厚度大于所述第二绝缘层的厚度。

其中，所述第一引线为数据线，所述第二引线为公共电极线和/或栅极线。

作为另一个技术方案，本发明还提供一种显示面板，包括阵列基板，所述阵列基板采用本发明提供的上述阵列基板。

本发明具有以下有益效果：

本发明提供的阵列基板，与现有技术相比，其第一绝缘层可以减小第一引线和第二引线在二者交叠区域的耦合电容，从而减小第一引线和第二引线之间的信号干扰，进而有助于提高显示画面的品质。

本发明提供的显示面板，其采用本发明提供的上述阵列基板，可以减小第一引线和第二引线之间的耦合电容，从而减小二者之间的信号干扰，进而有助于提高显示面板显示画面的品质。

附图说明

附图是用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本发明，但并不构成对本发明的限制。在附图中：

图1为本发明第一实施例提供的阵列基板的示意图；

图2为图1所示阵列基板的绝缘层的示意图；

图3为图1所示阵列基板的另一种绝缘层的示意图；

图4为本发明第二实施例提供的阵列基板的示意图；

图5为第一介质层和第二介质层的厚度之和大于第二绝缘层的示意图；

图6为第二介质层的厚度等于第二绝缘层的厚度的示意图；

图7为本发明第三实施例提供的阵列基板的示意图；

图8为本发明第三实施例中制备绝缘层的示意图；

图9为本发明第四实施例提供的阵列基板的示意图。

附图标记说明

10：阵列基板；11：第一引线；12：第二引线；13：绝缘层；14：第一绝缘层；15：第二绝缘层；16：半色调掩模板；17：半透膜；18：玻璃基板；140：第一介质层；141：第二介质层。

具体实施方式