[发明专利]TFT背板的制作方法及TFT背板结构

权利要求书

1.一种TFT背板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、提供一基板(1)，在该基板(1)上成膜第一金属层，并图案化该第一金属层，形成位于基板(1)一侧的栅极(2)与位于基板(1)另一侧的第一金属电极M1；

步骤2、在所述栅极(2)、第一金属电极M1与基板(1)上连续成膜，依次形成栅极绝缘层(3)、半导体层、与刻蚀阻挡层，并通过一道光刻制程图案化所述半导体层与刻蚀阻挡层，形成岛状的半导体层(4)与岛状的刻蚀阻挡层(5)；

步骤3、通过一道光刻制程图案化所述岛状的刻蚀阻挡层(5)与栅极绝缘层(3)，形成数个刻蚀阻挡层过孔(51)与栅极绝缘层过孔(31)，分别露出部分半导体层(4)、与栅极(2)；

步骤4、在所述岛状的刻蚀阻挡层(5)与栅极绝缘层(3)上成膜第二金属层，并图案化该第二金属层，形成位于所述基板(1)一侧的源/漏极(6)与位于基板(1)另一侧的第二金属电极M2；所述源/漏极(6)填充数个刻蚀阻挡层过孔(51)与半导体层(4)连接；所述源/漏极(6)填充栅极绝缘层过孔(31)与栅极(2)连接；位于所述基板(1)另一侧的部分栅极绝缘层(3)夹在第二金属电极M2与第一金属电极M1之间；

步骤5、在源/漏极(6)与第二金属电极M2上形成钝化保护层(7)，并图案化该钝化保护层(7)；

步骤6、在所述钝化保护层(7)上形成平坦层(8)，并图案化该平坦层(8)；

步骤7、在所述平坦层(8)上形成像素电极层(9)，并图案化该像素电极层(9)；所述像素电极(9)与源/漏极(6)连接；

步骤8、在所述像素电极层(9)与平坦层(8)上形成像素定义层(10)，并图案化该像素定义层(10)。

2.如权利要求1所述的TFT背板的制作方法，其特征在于，还包括步骤9、在所述像素定义层(10)上形成隔离柱(11)。

3.如权利要求1所述的TFT背板的制作方法，其特征在于，所述第一金属电极M1、第二金属电极M2、及夹在第一、第二金属电极M1、M2之间的部分栅极绝缘层(3)形成存储电容C。

4.如权利要求1所述的TFT背板的制作方法，其特征在于，所述半导体层(4)为氧化物半导体层或非氧化物半导体层。

5.如权利要求4所述的TFT背板的制作方法，其特征在于，所述氧化物半导体层为IGZO半导体层。

6.如权利要求1所述的TFT背板的制作方法，其特征在于，所述钝化保护层(7)的材料为无机材料，所述平坦层(8)的材料为有机材料，所述像素电极层(9)的材料为ITO或IZO，所述像素定义层(10)的材料为有机材料。

7.一种TFT背板结构，其特征在于，包括基板(1)、位于基板(1)一侧上的栅极(2)、位于基板(1)另一侧上的第一金属电极M1、位于栅极(2)、第一金属电极M1与基板(1)上的栅极绝缘层(3)、位于栅极绝缘层(3)上的岛状半岛体层(4)、位于半导体层(4)上的岛状刻蚀阻挡层(5)、位于刻蚀阻挡层(5)上的源/漏极(6)、位于第一金属电极M1上方的栅极绝缘层(3)上的第二金属电极M2、位于源/漏极(6)与第二金属电极M2上的钝化保护层(7)、位于钝化保护层(7)上的平坦层(8)、位于平坦层(8)上的像素电极层(9)、位于像素电极层(9)与平坦层(8)上的像素定义层(10)，所述栅极绝缘层(3)具有栅极绝缘层过孔(31)，所述刻蚀阻挡层(5)具有数个刻蚀阻挡层过孔(51)，所述源/漏极(6)填充数个刻蚀阻挡层过孔(51)与半导体层(4)连接，所述源/漏极(6)填充栅极绝缘层过孔(31)与栅极(2)连接，所述第一金属电极M1、第二金属电极M2、及夹在第一、第二金属电极M1、M2之间的部分栅极绝缘层(3)形成存储电容C，所述像素电极(9)与源/漏极(6)连接。

8.如权利要求7所述的TFT背板结构，其特征在于，还包括位于像素定义层(10)上的隔离柱(11)。

9.如权利要求7所述的TFT背板结构，其特征在于，所述半导体层(4)为氧化物半导体层或非氧化物半导体层，所述钝化保护层(7)的材料为无机材料，所述平坦层(8)的材料为有机材料，所述像素电极层(9)的材料为ITO或IZO，所述像素定义层(10)的材料为有机材料。

10.如权利要求9所述的TFT背板结构，其特征在于，所述氧化物半导体层为IGZO半导体层。