[发明专利]TFT背板的制作方法及TFT背板结构

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT背板的制作方法及TFT背板结构。

背景技术

平面显示装置具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有的平面显示装置主要包括液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)及有机电致发光显示装置(Organic Light Emitting Display，OLED)。

OLED由于同时具备自发光，不需背光源、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、可用于挠曲性面板、使用温度范围广、构造及制程较简单等优异特性，被认为是下一代平面显示装置的新兴应用技术。

薄膜晶体管(TFT)是平面显示装置的重要组成部分。由于TFT可形成在玻璃基板或塑料基板上，所以它们通常作为开光装置和驱动装置用在诸如LCD、OLED、电泳显示装置(EPD)上。

氧化物半导体TFT技术是当前的热门技术。由于氧化物半导体具有较高的电子迁移率，而且相比低温多晶硅(LTPS)，氧化物半导体制程简单，与非晶硅制程相容性较高，可以应用于LCD、OLED、柔性显示(Flexible)等领域，且与高世代生产线兼容，可应用于大中小尺寸显示，具有良好的应用发展前景。

现有的较为成熟的氧化物半导体TFT背板的结构是具有刻蚀阻挡层的结构。如图1至图10所示，现有的氧化物半导体TFT背板的制作方法，包括如下步骤：

步骤1、提供一基板100，在该基板100上成膜第一金属层，通过一道光刻制程图案化该第一金属层，形成位于基板100一侧的栅极200与位于基板100另一侧的第一金属电极M1；

步骤2、在所述栅极200、第一金属电极M1与基板100上成膜栅极绝缘层300，通过一道光刻制程图案化该栅极绝缘层300，形成栅极绝缘层过孔310，以露出部分栅极200；

步骤3、在所述栅极绝缘层300上成膜并通过一道光刻制程图案化，形成岛状的氧化物半导体层400；

步骤4、在所述氧化物半导体层400与栅极绝缘层300上成膜刻蚀阻挡层500，并通过一道光刻制程图案化该刻蚀阻挡层500，形成数个刻蚀阻挡层过孔510，以露出部分氧化物半导体层400；

步骤5、在所述刻蚀阻挡层500上成膜第二金属层，通过一道光刻制程图案化该第二金属层，形成位于所述基板100一侧的源/漏极600与位于基板100另一侧的第二金属电极M2，所述源/漏极600填充数个刻蚀阻挡层过孔510与氧化物半导体层400连接，所述源/漏极600填充栅极绝缘层过孔310与栅极200连接；

所述第一金属电极M1、第二金属电极M2、及夹在第一、第二金属电极M1、M2之间的部分栅极绝缘层300与部分刻蚀阻挡层500形成存储电容C；

步骤6、在源/漏极600与第二金属电极M2上形成钝化保护层700，并通过一道光刻制程使其图案化；

步骤7、在所述钝化保护层700上形成平坦层800，并通过一道光刻制程使其图案化；

步骤8、在所述平坦层800上形成像素电极层900，并通过一道光刻制程使其图案化；

步骤9、在所述像素电极层900与平坦层800上形成像素定义层1000，并通过一道光刻制程使其图案化；

步骤10、在所述像素定义层1000上形成隔离柱1100。

该现有的氧化物半导体TFT背板的制作方法存在一定的问题，主要表现在三个方面：一、氧化物半导体TFT背板的制作共需要十道光刻制程，其中刻蚀阻挡层500的制作需要一道完整的光刻制程(包括成膜、黄光、蚀刻、剥离等制程工序)，造成工序流程较长，生产效率较低，生产成本增加，而工序越多，累积的良率问题也越凸显；二、栅极绝缘层300、氧化物半导体层400与刻蚀阻挡层500非连续成膜，氧化物半导体层400与其它两层的界面容易受到蚀刻液、剥离液的污染，存在造成TFT性能下降的风险；三、存储电容C由第一金属电极M1、第二金属电极M2、夹在第一、第二金属电极M1、M2之间的部分栅极绝缘层300与部分刻蚀阻挡层500形成，由于多了刻蚀阻挡层500的厚度，造成存储电容C需要较大的面积，引起开口率下降。

因此，需要对该方法进行改进，以消除其存在的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种TFT背板的制作方法，能够减少光刻制程，缩短工序流程，提高生产效率，降低生产成本，提升良率；避免半导体层与栅极绝缘层、刻蚀阻挡层的界面受到污染，保证TFT的性能；并使得存储电容面积减小，提高开口率。