[发明专利]一种带有补偿偏置电路的低噪声放大器

权利要求书

1.一种带有补偿偏置的单端输入低噪声放大器，其特征是该偏置电路包括第一NMOS晶体管(M1)、第二NMOS晶体管(M2)、第三NMOS晶体管(M3)、第四NMOS晶体管(M4)、低噪声放大器的共源放大管(M5)、低噪声放大器的共栅晶体管(M6)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、第五电阻(R5)、第一电容(C1)、第二电容(C2)和第三电容(C3)；其中第一NMOS晶体管(M1)的漏极连接电源(VCC)，栅极与第二电阻(R2)和第三电阻(R3)连接，第二电阻(R2)的另一端连接电源(VCC)，第三电阻(R3)的另一端连接第二NMOS晶体管(M2)的漏极和第三NMOS晶体管(M3)的栅极，第三NMOS晶体管(M3)的栅极经过第一电容(C1)连接到地，第二NMOS晶体管(M2)的栅极连接第一NMOS晶体管(M1)的源极，第一NMOS晶体管(M1)的源极通过第一电阻(R1)连接到地；第二NMOS晶体管(M2)的源极直接连接到地；第三NMOS晶体管(M3)的漏极连接第四电阻(R4)，第四电阻(R4)为低噪声放大器的共栅晶体管(M6)的栅极提供偏置电压，并经过第三电容(C3)连接到地，第四电阻(R4)的另一端连接电源(VCC)，第三NMOS晶体管(M3)的源极连接第四NMOS晶体管(M4)的漏极和栅极，第四NMOS晶体管(M4)经过第五电阻(R5)给低噪声放大器的共源放大管(M5)的栅极提供偏置电压，并经过第二电容(C2)连接到地，第四电阻(R4)的源极接地。

2.根据权利要求1所述的带有补偿偏置的单端输入低噪声放大器，其特征是所述第一NMOS晶体管(M1)的漏极连接电源(VCC)，源极连接第一电阻(R1)，栅极则连接第二电阻(R2)和第三电阻(R3)，第二电阻(R2)的另一端连接电源(VCC)；第二NMOS晶体管(M2)的漏极连接第三电阻(R3)的另一端，栅极连接第一NMOS晶体管(M1)的源极和第一电阻(R1)，源极接地。第一电阻(R1)的另一端接地，第一NMOS晶体管(M1)、第二NMOS晶体管(M2)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)构成一个反馈的稳定结构。

3.根据权利要求1所述的带有补偿偏置的单端输入低噪声放大器，其特征是所述第三NMOS晶体管(M3)的栅极连接权利要求2中所述的反馈结构中的一个稳定的电压点，并用电容C1连接到地，第三NMOS晶体管(M3)的漏极通过第四电阻(R4)连接至电源(VCC)，第三NMOS晶体管(M3)的源极连接第四NMOS晶体管(M4)的漏极和栅极，第四NMOS晶体管(M4)的源极接地。

4.根据权利要求1所述的带有补偿偏置的单端输入低噪声放大器，其特征是所述第三NMOS晶体管(M3)的源极经过NMOS晶体管的二极管连接方式到地，并在该源极为低噪声放大器的共源放大管(M5)提供偏置电压。该提供偏置电压的源极通过一个电容连接到地，并经过大第五电阻(R5)连接到低噪声放大器的共源放大管(M5)的栅极。

5.根据权利要求1所述的带有补偿偏置的单端输入低噪声放大器，其特征是所述低噪声放大器的共栅晶体管(M6)的偏置电压可由偏置电路中的任意一个稳定且合适的电路节点提供。