[发明专利]一种带有补偿偏置电路的低噪声放大器

说明书

一、技术领域

本发明是一种带有补偿电路的低噪声放大器，可以对温度，工艺角，电源电压的波动进行补偿。

二、背景技术

随着现代通信技术的飞速发展，各种便携式的电子设备给人们的生活带来了极大的方便，如手机等。低噪声放大器是这些设备中必不可少的电路模块。低噪声放大器用来从天线接收到微弱信号并进行放大，叠加尽可能少的噪声。其增益，噪声，线性度等都将直接影响整个接收机的性能。一个好的低噪声放大器所应该具备的性能包括：提供足够高的增益，克服后继级噪声的干扰；优良的噪声性能以防止系统灵敏度的下降；良好的线性度以减少对系统动态范围的影响；较高的反向隔离度，防止信号的泄漏并增强系统的稳定性；良好的输入匹配以利于信号的有效传输。在实际设计中，通常采用折衷方案，综合考虑各项因素，兼顾各项指标的平衡。

传统的低噪声放大器通常采用共源或共源共栅结构，其中共源共栅的源极电感蜕化放大器最为常见。在实际的制造和使用中，工艺角，温度的变化对低噪声放大器的性能有着重要的影响，因此，需要对这些因素进行一定的补偿，以保证低噪声放大器性能的稳定。

三、发明内容

为了补偿工艺角，温度的变化对低噪声放大器性能的影响，本发明提供了一种带有补偿偏置的单端输入低噪声放大器，可以起到补偿温度，工艺角，电源电压的作用。

本发明的技术方案是：

一种带有补偿偏置的单端输入低噪声放大器，其特征是该偏置电路包括第一NMOS晶体管M1、第二NMOS晶体管M2、第三NMOS晶体管M3、第四NMOS晶体管M4、低噪声放大器的共源放大管M5、低噪声放大器的共栅晶体管M6、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第一电容C1、第二电容C2和第三电容C3；其中第一NMOS晶体管M1的漏极连接电源VCC，栅极与第二电阻R2和第三电阻R3连接，第二电阻R2的另一端连接电源VCC，第三电阻R3的另一端连接第二NMOS晶体管M2的漏极和第三NMOS晶体管M3的栅极，第三NMOS晶体管M3的栅极经过第一电容C1连接到地，第二NMOS晶体管M2的栅极连接第一NMOS晶体管M1的源极，第一NMOS晶体管M1的源极通过第一电阻R1连接到地；第二NMOS晶体管M2的源极直接连接到地；第三NMOS晶体管M3的漏极连接第四电阻R4，第四电阻R4为低噪声放大器的共栅晶体管M6的栅极提供偏置电压，并经过第三电容C3连接到地，第四电阻R4的另一端连接电源VCC，第三NMOS晶体管M3的源极连接第四NMOS晶体管M4的漏极和栅极，第四NMOS晶体管M4经过第五电阻R5给低噪声放大器的共源放大管M5的栅极提供偏置电压，并经过第二电容C2连接到地，第四电阻R4的源极接地。

所述第一NMOS晶体管M1的漏极连接电源VCC，源极连接第一电阻R1，栅极则连接第二电阻R2和第三电阻R3，第二电阻R2的另一端连接电源VCC；第二NMOS晶体管M2的漏极连接第三电阻R3的另一端，栅极连接第一NMOS晶体管M1的源极和第一电阻R1，源极接地。第一电阻R1的另一端接地，第一NMOS晶体管M1、第二NMOS晶体管M2、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3构成一个反馈的稳定结构。

所述第三NMOS晶体管M3的栅极连接权利要求2中所述的反馈结构中的一个稳定的电压点，并用电容C1连接到地，第三NMOS晶体管M3的漏极通过第四电阻R4连接至电源VCC，第三NMOS晶体管M3的源极连接第四NMOS晶体管M4的漏极和栅极，第四NMOS晶体管M4的源极接地。

所述第三NMOS晶体管M3的源极经过NMOS晶体管的二极管连接方式到地，并在该源极为低噪声放大器的共源放大管M5提供偏置电压。该提供偏置电压的源极通过一个电容连接到地，并经过大第五电阻R5连接到低噪声放大器共源管M5的栅极。

所述低噪声放大器的共栅晶体管M6的偏置电压可由偏置电路中的任意一个稳定且合适的电路节点提供。

本发明的有益效果是：

这种偏置电路可以对温度，工艺角以及电源电压的变化进行一定的补偿，使得低噪声放大器在不同的工艺角，温度，电源电压下性能保持基本的稳定，或者做出进一步的过补偿调整，以满足实际生产和应用条件下的需求。

四、附图说明

图1本发明的带有补偿偏置电路的低噪声放大器的电路原理图。

五、具体实施方案

以下结合附图对本发明做进一步详述：