[发明专利]电感结构的制作方法以及电感结构有效

专利信息
申请号: 201410352936.0 申请日: 2014-07-23
公开(公告)号: CN104091781B 公开(公告)日: 2017-01-25
发明(设计)人: 黎坡 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768;H01L23/522
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司11227 代理人: 高静,骆苏华
地址: 201203 上海市浦东新*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 电感 结构 制作方法 以及
【权利要求书】:

1.一种电感结构的制作方法,其特征在于,包括:

提供衬底;

在所述衬底上形成介质层和位于所述介质层中的电感线圈,所述介质层覆盖所述电感线圈;

对所述介质层表面进行平坦化处理;

在位于所述电感线圈内部区域的介质层中形成第一凹槽;

在所述第一凹槽内以及所述介质层上形成磁性材料层;

去除位于所述介质层上的磁性材料层,位于所述第一凹槽内的磁性材料层形成磁性层。

2.根据权利要求1所述的电感结构的制作方法,其特征在于,所述平坦化处理为化学机械研磨,在所述衬底上形成介质层的步骤中,使介质层表面与电感线圈表面的最小高度差在0.2微米到3微米的范围内。

3.根据权利要求1所述的电感结构的制作方法,其特征在于,在对所述介质层表面进行平坦化处理的步骤之后,在位于所述电感线圈内部区域的介质层中形成第一凹槽之前,所述电感结构的制作方法还包括:在所述介质层上形成钝化层,所述钝化层的厚度在500埃到5000埃的范围内。

4.根据权利要求1所述的电感结构的制作方法,其特征在于,形成所述第一凹槽的方法包括:在介质层上形成具有第一开口的第一图形化掩膜层,所述第一开口暴露出位于所述电感线圈内部区域的介质层上表面;

以所述第一图形化掩膜层为掩膜刻蚀所述介质层,在位于所述电感线圈内部区域的介质层内形成第一凹槽。

5.根据权利要求1所述的电感结构的制作方法,其特征在于,在所述衬底上形成位于所述介质层中的电感线圈的步骤中,所述制作方法还包括:形成位于所述介质层中的互连结构,所述互连结构包括焊盘,所述焊盘和电感线圈均为顶层金属材料。

6.根据权利要求5所述的电感结构的制作方法,其特征在于,形成所述第一凹槽的方法包括:在所述介质层上形成具有第一开口和第二开口的第二图形化掩膜层,所述第一开口暴露出位于所述电感线圈内部区域的介质层上表面,所述第二开口暴露出焊盘上方的介质层上表面;以所述第二图形化掩膜层为掩膜,以所述焊盘表面作为停止层,刻蚀所述介质层形成露出焊盘表面的第二凹槽,在位于所述电感线圈内部区域的介质层内形成第一凹槽,之后去除所述第二图形化掩膜层;

或者,

形成所述第一凹槽的方法包括:在所述介质层上形成具有第二开口的第三图形化掩膜层,所述第二开口暴露出焊盘上方的介质层上表面;以所述第三图形化掩膜层为掩膜,刻蚀所述介质层形成露出所述焊盘表面的第二凹槽,之后去除所述第三图形化掩膜层;在所述介质层表面形成具有第一开口的第四图形化掩膜层,所述第一开口暴露出位于所述电感线圈内部区域的介质层上表面;以所述第四图形化掩膜层为掩膜刻蚀所述介质层,在所述第一区域内形成第一凹槽,然后去除所述第四图形化掩膜层。

7.根据权利要求6所述的电感结构的制作方法,其特征在于,去除位于所述介质层上的部分磁性材料层的方法包括:

对所述磁性材料层进行各向异性刻蚀,去除位于所述介质层的表面、第二凹槽内的部分磁性材料层,在所述第一凹槽内形成磁性层。

8.根据权利要求1所述的电感结构的制作方法,其特征在于,所述磁性层的材料为铁、钴、镍中的一种或几种金属材料,或者,所述磁性层的材料为铁、钴、镍中的两种或三种金属的合金,或者,所述磁性层的材料为锰锌合金。

9.根据权利要求1所述的电感结构的制作方法,其特征在于,所述磁性材料层的材料为NiFe合金,所述NiFe合金中Ni的含量范围为50%~95%。

10.一种采用权利要求1至9中任意一项制作方法所形成的电感结构,其特征在于,包括:

衬底;

位于衬底上的介质层,所述介质层上表面齐平;

位于所述介质层中的电感线圈,所述介质层覆盖所述电感线圈;

位于所述电感线圈内部区域的介质层中的第一凹槽;

位于所述第一凹槽内的磁性层。

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