[发明专利]半导体封装、制造半导体封装的方法和叠层式半导体封装

权利要求书

1.一种半导体封装，包括：

基底，在该基底上形成第一电路层；

半导体装置，形成在所述基底上；

模制部，形成在所述基底上并形成以包围所述第一电路层和所述半导体装置；

第一通道，形成在所述第一电路层上并形成为穿透所述模制部；以及

第二电路层，形成在所述模制部的上表面上并与所述第一通道一体成型。

2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述第一通道的下表面的直径比所述第一通道的上表面的直径大。

3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述第一通道的下表面的直径比所述第一通道的上表面的直径小。

4.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述第一通道被弯曲一次或多次，从而所述第一通道的上表面的中心和所述第一通道的下表面的中心位于不同的垂直线上。

5.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述第一通道被弯曲一次或多次，从而所述第一通道的上表面的中心和所述第一通道的下表面的中心位于同一垂直线上。

6.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述第一通道包括导电金属和导电树脂中的至少一者。

7.根据权利要求6所述的半导体封装，其中所述第一通道的内部由非导电树脂制成。

8.根据权利要求1所述的半导体封装，其中粘合层被进一步形成在所述第一通道与所述第一电路层之间。

9.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述粘合层包括低熔点金属和半固化导电环氧树脂中的至少一者。

10.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述半导体装置通过线路连接到所述第一电路层。

11.根据权利要求1所述的半导体封装，还包括：

第二通道，该第二通道的下表面被连接到所述半导体装置，以及所述第二通道的上表面被连接到所述第二电路层。

12.根据权利要求11所述的半导体封装，其中所述第二电路层将所述第一通道电连接到所述第二通道。

13.根据权利要求12所述的半导体封装，其中所述第二通道由与所述第一通道相同的材料制成。

14.根据权利要求1所述的半导体封装，还包括：

外部连接端，形成在所述第二电路层上。

15.一种制造半导体封装的方法，包括：

制备基底，在该基底上形成第一电路层和半导体装置；

制备一框架，该框架具有下表面，该下表面设置有第一通道；

将所述框架安装在所述基底上；

通过将模制材料注入所述基底与所述框架之间来形成模制部；以及

通过使所述框架形成图案来形成第二电路层。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述制备具有设置有第一通道的下表面的框架包括：

制备所述框架；以及

通过用丝网印刷法或注射成型法将导电树脂注入至所述框架中来在所述框架上形成所述第一通道。

17.根据权利要求15所述的方法，其中所述制备具有设置有第一通道的下表面的框架包括：

制备所述框架；

通过用丝网印刷法或注射成型法将非导电树脂注入至所述框架中来在所述框架上形成所述第一通道的内部；以及

通过将导电材料电镀到所述第一通道的内部来形成所述第一通道。

18.根据权利要求15所述的方法，其中所述制备具有设置有第一通道的下表面的框架包括：

制备所述框架；以及

通过利用压膜提供所述框架一侧的塑性变形来形成所述第一通道。

19.根据权利要求18所述的方法，其中所述框架的数目为多个。

20.根据权利要求15所述的方法，其中所述第一通道的下表面的直径比所述第一通道的上表面的直径大。

21.根据权利要求15所述的方法，其中所述第一通道的下表面的直径比所述第一通道的上表面的直径小。

22.根据权利要求15所述的方法，其中所述第一通道被弯曲一次或多次，从而所述第一通道的上表面的中心和所述第一通道的下表面的中心位于不同的垂直线上。