[发明专利]半导体封装、制造半导体封装的方法和叠层式半导体封装无效

专利信息
申请号: 201410353021.1 申请日: 2014-07-23
公开(公告)号: CN104425398A 公开(公告)日: 2015-03-18
发明(设计)人: 金泰贤;俞度在;朴兴雨 申请(专利权)人: 三星电机株式会社
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/48;H01L21/56;H01L21/60
代理公司: 北京润平知识产权代理有限公司 11283 代理人: 孙向民;肖冰滨
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装 制造 方法 叠层式
【说明书】:

相关申请的交叉引用

本申请要求2013年8月20日提交的、题为“Semiconductor Package,Method of Manufacturing Semiconductor Package,and Stack Type Semiconductor Package”的韩国专利申请No.10-2013-0098372的权益,由此该韩国专利申请作为参考被整体合并于本申请中。

技术领域

本发明涉及半导体封装、制造半导体封装的方法和叠层式半导体封装。

背景技术

随着半导体技术的快速发展,半导体装置显著发展。而且,已经积极进行半导体封装(诸如通过提前将例如半导体装置的电子装置安装在印刷电路板上而配置成封装的系统级封装(SIP)、芯片尺寸级封装(CSP)、和覆晶式封装(FCP))的发展。在半导体封装中,半导体装置安装在印刷电路板上,并经过模制(molding),然后在模制材料上形成通道。在这种情况下,使用激光来加工用于形成通道的通孔(美国专利No.8354744)。在激光加工的情况下,当加工多个通孔时,不能同时加工通孔,而是需要单个地加工通孔。

发明内容

本发明致力于提供不需要进行激光加工来形成通孔的半导体封装、制造半导体封装的方法和叠层式半导体封装。

而且,本发明致力于提供其中同时形成多个通孔的半导体封装、制造半导体封装的方法和叠层式半导体封装。

另外,本发明致力于提供具有改善的设计自由度的半导体封装、制造半导体封装的方法和层叠式半导体封装。

根据本发明的优选实施方式,提供了一种半导体封装,包括:基底(base substrate),在所述基底上形成第一电路层;半导体装置,形成在所述基底上;模制部,形成在所述基底上并形成以围绕所述第一电路层和所述半导体装置;第一通道,形成在第一电路层上并形成为穿透所述模制部;以及第二电路层,形成在所述模制部的上表面上并与所述第一通道一体成型。

所述第一通道的下表面的直径可以比所述第一通道的上表面的直径大。

所述第一通道的下表面的直径可以比所述第一通道的上表面的直径小。

所述第一通道可以弯曲一次或多次,以使得所述第一通道的上表面的中心和所述第一通道的下表面的中心位于不同的垂直线上。

所述第一通道可以弯曲一次或多次,以使得所述第一通道的上表面的中心和所述第一通道的下表面的中心位于同一垂直线上。

所述第一通道可以包括导电金属和导电树脂中的至少一者。

所述第一通道的内部可以由非导电树脂制成。

还可以在所述第一通道与所述第一电路层之间形成粘合层。

所述粘合层可以包括低熔点金属和半固化(temporarily cured)导电环氧树脂中的至少一者。

所述半导体装置可以通过线路连接到所述第一电路层。

所述半导体封装还可以包括:第二通道,所述第二通道的下表面连接到所述半导体装置,以及所述第二通道的上表面连接到所述第二电路层。

所述第二电路层可以将所述第一通道与所述第二通道电连接。

所述第二通道可以由与所述第一通道相同的材料制成。

所述半导体封装还可以包括:外部连接端,形成在所述第二电路层上。

根据本发明的另一个优选实施方式,提供了一种制造半导体封装的方法,包括:制备基底,在所述基底上形成第一电路层和半导体装置;制备一框架,该框架具有下表面,该下表面设置有第一通道;将所述框架安装在所述基底上;通过将模制材料注入基底与框架之间来形成模制部;以及通过使框架形成图案来形成第二电路层。

所述制备具有设置有第一通道的下表面的框架可以包括:制备框架;以及通过用丝网印刷法或注射成型法将导电树脂注入框架中来在所述框架上形成所述第一通道。

所述制备具有设置有第一通道的下表面的框架可以包括:制备框架;通过用丝网印刷法或注射成型法将非导电树脂注入框架中来在所述框架上形成所述第一通道的内部;以及通过将导电材料电镀到所述第一通道的内部来形成所述第一通道。

所述制备具有设置有第一通道的下表面的框架可以包括:制备框架;以及通过用压膜提供对所述框架一侧的塑性变形来形成所述第一通道。

框架的数目可以为多个。

所述第一通道的下表面的直径可以比所述第一通道的上表面的直径大。

所述第一通道的下表面的直径可以比所述第一通道的上表面的直径小。

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