[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法以及存储电容器与半导体元件

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括：

衬底；

栅极，设置在所述衬底上；

缓冲层，部分地覆盖所述栅极的侧部分；

栅极绝缘层，覆盖所述栅极和所述缓冲层；

有源层，设置在所述栅极绝缘层上；

蚀刻停止层，设置在所述有源层上，所述蚀刻停止层包括第一开口和第二开口；

源极，设置在所述蚀刻停止层上，所述源极通过所述第一开口与所述有源层接触；以及

漏极，设置在所述蚀刻停止层上，所述漏极通过所述第二开口与所述有源层接触。

2.如权利要求1所述的晶体管，其中，所述缓冲层的相对表面朝彼此倾斜。

3.如权利要求2所述的晶体管，其中，所述栅极绝缘层的倾斜表面、所述有源层的倾斜表面和所述蚀刻停止层的倾斜表面限定向下凹陷的区域。

4.如权利要求1所述的晶体管，其中，电场集中最小区域存在于所述栅极与所述源极之间的重叠区域和所述栅极与所述漏极之间的重叠区域处。

5.如权利要求4所述的晶体管，其中，所述电场集中最小区域包括所述缓冲层的一部分、所述栅极绝缘层的一部分和所述有源层的一部分。

6.如权利要求5所述的晶体管，其中，所述栅极绝缘层被直接设置在所述栅极的、由所述缓冲层暴露的上部表面上，所述有源层被直接设置在所述栅极绝缘层的上部表面上，以及其中，所述栅极与所述源极之间的距离和所述栅极与所述漏极之间的距离通过所述缓冲层而被增加。

7.如权利要求1所述的晶体管，其中，所述薄膜晶体管被包括在显示面板中。

8.一种制造薄膜晶体管的方法，所述方法包括：

将栅极形成在衬底上；

将缓冲层形成在所述栅极的侧部分上；

将栅极绝缘层形成在所述栅极和所述缓冲层上；

将有源层形成在所述栅极绝缘层上；

将蚀刻停止层形成在所述有缘层上，所述蚀刻停止层包括第一开口和第二开口；以及

形成源极和漏极，所述源极和所述漏极分别通过所述第一开口和所述第二开口与所述有源层接触。

9.如权利要求8所述的方法，其中，所述缓冲层的相对表面朝彼此倾斜。

10.如权利要求9所述的方法，其中，所述栅极绝缘层的倾斜表面、所述有源层的倾斜表面和所述蚀刻停止层的倾斜表面限定向下凹陷的区域。

11.如权利要求8所述的方法，其中，电场集中最小区域存在于所述栅极与所述源极之间的重叠区域和所述栅极与所述漏极之间的重叠区域处。

12.如权利要求11所述的方法，其中，所述电场集中最小区域包括所述缓冲层的一部分、所述栅极绝缘层的一部分和所述有源层的一部分。

13.如权利要求12所述的方法，其中，所述栅极绝缘层被直接设置在所述栅极的、由所述缓冲层暴露的上部表面上，所述有源层被直接设置在所述栅极绝缘层的上部表面上，以及其中，所述栅极与所述源极之间的距离和所述栅极与所述漏极之间的距离通过所述缓冲层而被增加。

14.一种存储电容器，包括：

衬底；

第一电极，设置在所述衬底上；

缓冲层，位于所述第一电极的侧部分上；

绝缘层，位于所述第一电极和所述缓冲层上；

层间绝缘层，设置在所述绝缘层上；以及

第二电极，形成在所述层间绝缘层上，所述第二电极与所述第一电极相对。

15.如权利要求14所述的电容器，其中，所述缓冲层的相对表面朝彼此倾斜。

16.如权利要求14所述的电容器，其中，所述绝缘层的倾斜表面和所述层间绝缘层的倾斜表面限定向下凹陷的区域。

17.如权利要求14所述的电容器，其中，所述存储电容器被包括在显示面板中。