[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法以及存储电容器与半导体元件

说明书

相关申请的交叉引用

本申请在35U.S.C.§119下要求于2013年7月23日提交的第10-2013-0086426号韩国专利申请，该专利申请在此通过引用并入以用于所有目的，如同其已完全在本文中阐述。

技术领域

本发明的示例性实施方式涉及显示器件。更具体地，本发明的示例性实施方式涉及薄膜晶体管及制造薄膜晶体管的方法。

背景技术

当通过使用各自具有底栅结构的薄膜晶体管来制造高分辨率、大面积显示器时，薄膜晶体管的尺寸应被减小以确保开口率。随着薄膜晶体管的尺寸被减小，薄膜晶体管的相应栅极绝缘层的厚度可被减小。此处，如果栅极绝缘层的厚度被减小，则栅极与源极之间的距离和/或栅极与漏极之间的距离可能被缩短。由此，栅极、源极和漏极可能受损。此外，在栅极与源极之间的重叠区域和/或栅极与漏极之间的重叠区域中重叠电容可能被增加。无论如何，栅极绝缘层的厚度都应被增加以防止重叠电容的增加。此外，薄膜晶体管的尺寸应被增加以确保(即，维持)相同的导通电流特性。因此，薄膜晶体管的尺寸需要在不增加重叠电容的情况下被减小以制造高分辨率的大面积显示器。

发明内容

本发明的示例性实施方式提供了在不增加重叠电容的情况下制造成小尺寸的薄膜晶体管。

本发明的示例性实施方式提供了制造成小尺寸的、具有增加的电容的存储电容器。

本发明的附加特征将被记载于下面的描述中，并且部分地将通过描述而明确或者可以通过本发明的实践而得知。

通过对数个特定实施方式和实现(包括用于实施本发明的最佳模式)进行说明，本发明的另外其他方面、特征和优点从下面的详细描述容易明确。本发明还能够具有其他及不同的实施方式，并且可以在多个显而易见的方面对其数个细节进行修改，而均不背离本发明的精神和范围。因此，附图和描述在本质上应被认为是说明性的，而不是限制性的。

本发明的示例性实施方式公开了薄膜晶体管。薄膜晶体管包括衬底。薄膜晶体管包括设置在衬底上的栅极。薄膜晶体管包括部分地覆盖栅极的侧部分的缓冲层。薄膜晶体管包括覆盖栅极和缓冲层的栅极绝缘层。薄膜晶体管包括设置在栅极绝缘层上的有源层。薄膜晶体管包括设置在有源层上的蚀刻停止层。蚀刻停止层具有位于有源层上的第一开口和第二开口。薄膜晶体管包括设置在蚀刻停止层上的源极。源极通过第一开口与有源层接触。薄膜晶体管包括设置在蚀刻停止层上的漏极，该漏极通过第二开口与有源层接触。

本发明的示例性实施方式公开了制造薄膜晶体管的方法。该方法包括将栅极形成在衬底上。该方法包括将缓冲层形成在栅极的侧部分上。该方法包括将栅极绝缘层形成在栅极和缓冲层上。该方法包括将有源层形成在栅极绝缘层上。该方法包括将蚀刻停止层形成在有源层上，该蚀刻停止层包括位于有源层上的第一开口和第二开口。该方法还包括形成源极和漏极，该源极和该漏极分别通过第一开口和第二开口与有源层接触。

本发明的示例性实施方式公开了存储电容器。存储电容器包括衬底。存储电容器包括设置在衬底上的第一电极。存储电容器包括位于第一电极的侧部分上的缓冲层。存储电容器包括覆盖第一电极和缓冲层的绝缘层。存储电容器包括设置在绝缘层上的层间绝缘层。存储电容器包括设置在层间绝缘层上的第二电极，该第二电极与第一电极相对。

本发明的示例性实施方式公开了制造存储电容器的方法。该方法包括将第一电极形成在衬底上。该方法包括将缓冲层形成在第一电极的侧部分上。该方法包括将绝缘层形成在第一电极和缓冲层上。该方法包括将层间绝缘层形成在绝缘层上。该方法还包括将与第一电极相对的第二电极形成在层间绝缘层上。

本发明的示例性实施方式公开了薄膜晶体管。薄膜晶体管包括衬底。薄膜晶体管包括形成在衬底上的栅极、源极和漏极。薄膜晶体管包括覆盖栅极的绝缘层，该绝缘层包括倾斜的表面和向下凹陷的区域，其中缓冲层被形成以覆盖栅极的两侧。薄膜晶体管包括有源层和蚀刻停止层，其中有源层形成在绝缘层上，蚀刻停止层包括形成在有源层的一部分上的开口，其中有源层通过开口与源极和漏极接触。重叠区域被形成，重叠区域包括缓冲层的一部分、绝缘层的一部分和有源层的一部分，其中缓冲层在重叠区域处的厚度小于缓冲层在衬底区域处的厚度，以及其中绝缘层在缓冲层之上被薄薄地形成。