[发明专利]集成电路以及制造集成电路的方法

权利要求书

1.一种半导体衬底中的集成电路，所述集成电路包括：

所述半导体衬底的第一主表面中的沟槽，所述沟槽包括在第一方向延伸的第一沟槽部分和在所述第一方向延伸的第二沟槽部分，所述第一沟槽部分在横向方向经由另一个沟槽部分与所述第二沟槽部分相连接，所述另一个沟槽部分以相对于所述第一方向的倾斜角度延伸；

沟槽传导结构，所述沟槽传导结构包括传导材料，所述传导材料被设置在所述第一沟槽部分之中；以及

沟槽电容器结构，所述沟槽电容器结构包括设置在所述第二沟槽部分中的电容器电介质和第一电容器电极，所述第一电容器电极包括对所述第二沟槽部分的侧壁加衬的层。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中

所述第二沟槽部分具有比所述第一沟槽部分更大的宽度，所述宽度在分别与所述第一方向垂直的方向上被测量。

3.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第二沟槽部分具有比所述第一沟槽部分更大的深度。

4.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述沟槽传导结构实施沟槽晶体管结构，并且所述传导材料形成栅极电极。

5.根据权利要求4所述的集成电路，其中所述沟槽晶体管结构进一步包括在所述栅极电极之下设置在所述第一沟槽部分的下部的场板。

6.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述沟槽电容器结构进一步包括第二电容器电极，并且所述电容器电介质设置在所述第一电容器电极和所述第二电容器电极之间。

7.根据权利要求5所述的集成电路，其中所述沟槽电容器结构进一步包括第二电容器电极，并且所述电容器电介质设置在所述第一电容器电极和所述第二电容器电极之间。

8.根据权利要求7所述的集成电路，其中所述第二电容器电极和所述场板包括相同材料。

9.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第一电容器电极和所述传导材料包括相同材料。

10.一种在半导体衬底中制造集成电路的方法，所述方法包括：

在所述半导体衬底的第一主表面中形成沟槽，所述沟槽包括在第一方向延伸的第一沟槽部分和在所述第一方向延伸的第二沟槽部分，所述第一沟槽部分在横向方向经由另一个沟槽部分与所述第二沟槽部分相连接，所述另一个沟槽部分以相对于所述第一方向的倾斜角度延伸；

在所述第一沟槽部分中形成包括传导材料的沟槽传导结构；以及

在所述第二沟槽部分中形成包括电容器电介质和第一电容器电极的沟槽电容器结构，所述第一电容器电极包括对所述第二沟槽部分的侧壁加衬的层。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述第一沟槽部分和所述第二沟槽部分使用蚀刻掩膜形成，所述蚀刻掩膜包括第一掩膜开口部分和第二掩膜开口部分，所述第一掩膜开口部分与所述第二掩膜开口部分连接，所述第二掩膜开口部分具有比所述第一掩膜开口部分更大的宽度。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一沟槽部分被形成为具有比所述第二沟槽部分更小的宽度，所述宽度在分别关于所述第一沟槽部分和所述第二沟槽部分的延伸方向垂直的方向上被测量。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述第一沟槽部分被形成为具有比所述第二沟槽部分更小的深度。

14.根据权利要求10所述的方法，其中所述第一沟槽部分和所述第二沟槽部分使用联合蚀刻处理而形成。

15.根据权利要求10所述的方法，其中形成所述传导材料和形成所述第一电容器电极包括形成传导层的共同过程。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述传导层的厚度被选择为使得所述传导层填充所述第一沟槽部分。

17.根据权利要求10所述的方法，其中形成所述沟槽传导结构进一步包括在所述传导材料下方形成被设置在所述第一沟槽部分下部的场板，所述传导材料形成沟槽晶体管结构的栅极电极。

18.根据权利要求17所述的方法，其中形成所述沟槽电容器结构进一步包括形成第二电容器电极而使得所述电容器电介质被设置在所述第一电容器电极和所述第二电容器电极之间。