[发明专利]集成电路以及制造集成电路的方法

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路，并且更具体地涉及集成电路以及制造集成电路的方法。

背景技术

包括诸如功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的功率晶体管的集成电路通常包括MOSFET的单元阵列。一些功率半导体设备还包括具有大电容的电容器。

根据已知概念，平面电容器被布置在半导体芯片上。期望功率半导体设备中有所改进的电容器集成方案。

发明内容

根据一个实施例，一种半导体衬底中的半导体电路包括该半导体衬底的第一主表面中的沟槽，该沟槽包括第一沟槽部分和第二沟槽部分，该第一沟槽部分以横向方向与第二沟槽部分相连接。该集成电路进一步包括沟槽传导结构，沟槽传导结构包括传导材料和沟槽电容器结构，该传导材料被布置在第一沟槽部分之中，沟槽电容器结构包括布置在第二沟槽部分中的电容器电介质和第一电容器电极。该第一电容器电极包括对第二沟槽部分的侧壁加衬的分层。

根据一个实施例，一种在半导体衬底中制造集成电路的方法包括在该半导体衬底的第一主表面中形成沟槽，该沟槽包括第一沟槽部分和第二沟槽部分，该第一沟槽部分以横向方向与第二沟槽部分相连接。该方法进一步包括在该第一沟槽部分中形成包括传导材料的沟槽传导结构，并且在该第二沟槽部分中形成包括电容器电介质和第一电容器电极的沟槽电容器结构。该第一电容器电极包括对第二沟槽部分的侧壁加衬的分层。

根据另外的实施例，一种在半导体衬底中制造集成电路的方法包括使用掩膜在该半导体衬底的第一主表面中蚀刻出沟槽，该掩膜包括第一掩膜开口部分和第二掩膜开口部分。该第二掩膜开口部分具有比第一掩膜开口部分更大的宽度。该方法进一步包括形成沟槽晶体管结构，这包括在第一沟槽部分中形成栅极电极，该第一沟槽部分在该第一掩膜开口部分下方限定于该半导体衬底之中，并且在第二沟槽部分中形成包括电容器电介质和第一电容器电极的沟槽电容器结构。该第二沟槽部分在该第二掩膜开口部分下方限定于该半导体衬底之中。

附图说明

包括附图以提供对本发明实施例的进一步理解并且结合于此构成该说明书的一部分。附图图示了本发明的实施例并且连同描述一起用来对原则加以解释。本发明的其它实施例以及许多预期优势将被轻易地意识到，因为它们通过参考以下详细描述而获得了更好的理解。附图的要素并非必然相对于彼此依比例进行绘制。同样的附图标记指示相对应的相似部分。

图1示出了根据一个实施例集成电路的在平行于衬底表面的平面中的截面图；

图2A示出了关于图1所示的晶体管的衬底表面垂直取得的截面图；

图2B图示了图1的集成电路的电容器区域的截面图示例；

图2C示出了图1所示的集成电路的电容器区域的截面图另外的示例；

图2D图示了图1所示的集成电路的连接部分的截面图；

图2E图示出其方向关于图2A至2D所示的截面图的方向有所倾斜的截面图；

图3A图示了用于限定各种沟槽部分的掩膜的示例；

图3B和3C图示了当执行根据一个实施例的方法时的半导体衬底的截面图；

图4A和4B图示了形成第一多晶硅层之后的半导体衬底的截面图；

图5A和5B图示了形成第二多晶硅层之后的半导体衬底的截面图；

图6A和6B图示了形成第二多晶硅层之后的半导体衬底的截面图；

图7A和7B图示了对第二半导体层进行内蚀刻之后的半导体衬底的截面图；

图8示意性图示了根据一个实施例的方法；以及

图9示意性图示了根据另外实施例的方法。

具体实施方式

在以下详细描述中对附图加以参考，其形成这里的一部分并且通过图示对可以在其中实践本发明的具体实施例进行了阐述。就此而言，参考所描述附图的方位而使用诸如“顶部”、“底部”、“前方”、“后方”、“前面”、“后面”等的方向性术语。由于本发明实施例的组件能够以多种不同方位进行定位，所以该方向性术语是出于说明的目的而使用而绝非进行限制。所要理解的是，可以在不背离权利要求所限定范围的情况下采用其它实施例并且可以进行结构或逻辑的变化。

对实施例的描述并非是限制性的。特别地，随后所描述实施例的要素可以与不同实施例的要素进行组合。