[发明专利]一种强激光取样衰减器有效
申请号: | 201410354915.2 | 申请日: | 2014-07-24 |
公开(公告)号: | CN104133302A | 公开(公告)日: | 2014-11-05 |
发明(设计)人: | 庞淼;张卫;胡晓阳;周文超;高学燕;周山;何均章 | 申请(专利权)人: | 中国工程物理研究院应用电子学研究所 |
主分类号: | G02F1/01 | 分类号: | G02F1/01;G01J1/04 |
代理公司: | 中国工程物理研究院专利中心 51210 | 代理人: | 韩志英 |
地址: | 621999 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 激光 取样 衰减器 | ||
1.一种强激光取样衰减器,其特征在于:所述取样衰减器外形为柱状,包括漫反射取样板(1)、衰减腔板(2)、取样光散射板(3)、漫透射材料(4)、衰减底板(5);
所述漫反射取样板(1)用于对非取样强激光进行漫反射;
所述漫反射取样板(1)上设置有通孔用于对入射激光束进行空间强度分布取样;
所述衰减腔板(2)上设置有衰减腔用于衰减和匀化取样强激光;
所述取样光散射板(3)用于对取样强激光进行漫反射;
所述漫透射材料(4)用于对发散匀化后的取样光再次进行取样;
所述衰减底板(5)上设置有通孔用于对漫透射取样激光再次进行衰减;
所述取样衰减器的上部设置有漫反射取样板(1),漫反射取样板(1)下部依次与衰减腔板(2)、取样光散射板(3)、衰减底板(5)固定连接;漫反射取样板(1)轴向设置有圆形的通孔Ⅰ(6);衰减腔板(2)的上部轴向设置有圆形的通孔Ⅱ(7),下部轴向设置有衰减腔(8);所述的取样光散射板(3)的轴向设置有圆形通孔Ⅲ(9);所述的衰减底板(5)的轴向设置有圆形通孔Ⅳ(10);通孔Ⅱ(7)、通孔Ⅲ(9)分别与衰减腔(8)相通,且通孔Ⅱ(7)与通孔Ⅲ(9)为轴向平行设置;所述漫透射材料(4)置于取样光散射板(3)的通孔Ⅲ(9)中,漫透射材料(4)的上表面与取样光散射板(3)上的通孔Ⅲ(9)中的台阶平齐,漫透射材料(4)的下表面与衰减底板(5)的上表面平齐。
2.根据权利要求1所述的强激光取样衰减器,其特征在于:所述的通孔Ⅰ(6)与通孔Ⅱ(7)为同轴心设置。
3.根据权利要求1所述的强激光取样衰减器,其特征在于:所述的通孔Ⅲ(9)与通孔Ⅳ(10)为同轴心设置。
4.根据权利要求1所述的强激光取样衰减器,其特征在于:所述的衰减腔(8)的形状为圆形或方形。
5.根据权利要求1所述的强激光取样衰减器,其特征在于:所述的漫反射取样板(1)材料采用紫铜,在紫铜受光面先喷砂,后镀金,其余表面镀金。
6.根据权利要求1所述的强激光取样衰减器,其特征在于:所述的衰减腔板(2)材料采用石墨或发黑铝。
7.根据权利要求1所述的强激光取样衰减器,其特征在于:所述的取样光散射板(3)材料采用紫铜或铝,在紫铜或铝的受光面先喷砂,后镀金。
8.根据权利要求1所述的强激光取样衰减器,其特征在于:所述的漫透射材料(4)为乳白玻璃或漫透射陶瓷。
9.根据权利要求1所述的强激光取样衰减器,其特征在于:所述的衰减底板(5)的材料为发黑铝。
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