[发明专利]衬底处理装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种衬底处理装置，其特征在于，具有：

处理衬底的处理空间；

载置所述衬底的衬底载置台；

升降机构，使所述衬底载置台在搬运空间的搬运位置和所述处理空间内的衬底处理位置之间升降；

将所述搬运空间和所述处理空间分隔开的隔板；

气体供给系统，向所述处理空间内供给气体；

排气缓冲室，具有以包围所述处理空间的侧方周围的方式设置的空间，供已供给至所述处理空间内的气体流入；

气体排放系统，对流入所述排气缓冲室内的气体进行排气；

传导性调节板，以在所述排气缓冲室和所述处理空间之间形成气体流路的方式配置在所述衬底的外周侧，

所述衬底载置台在该衬底载置台的外周端具有向所述隔板的下表面侧突出的突出部，

所述传导性调节板在所述衬底处于所述衬底处理位置时，内周侧被所述衬底载置台支承，在所述衬底处于所述搬运位置时，外周侧被所述隔板支承，所述传导性调节板构成为外周侧端缘延伸到所述排气缓冲室内，

所述隔板构成为，内周端延伸到与所述气体流路相对的位置。

2.如权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，

所述衬底处于所述衬底处理位置时的、所述传导性调节板的上表面高度与所述衬底的上表面高度相同或者比所述衬底的上表面高度高。

3.如权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，

所述传导性调节板形成为外周侧端缘位于比所述排气缓冲室的内周侧端缘更靠内周侧的位置。

4.如权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，

所述传导性调节板具有：

第一部分，形成为外周侧端缘延伸到与所述排气缓冲室的内周侧端缘对齐的位置，或者外周侧端缘位于比所述排气缓冲室的内周侧端缘更靠内周侧的位置；

第二部分，形成为所述外周侧端缘延伸到所述排气缓冲室内。

5.如权利要求4所述的衬底处理装置，其特征在于，

所述第二部分配置在所述气体排放系统的连接位置附近。

6.如权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，

所述传导性调节板形成为质量比所述衬底大。

7.如权利要求6所述的衬底处理装置，其特征在于，

所述传导性调节板由石英或陶瓷形成。

8.如权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，

具有控制所述升降机构的控制器，

所述控制器控制所述升降机构，使所述传导性调节板被所述衬底载置台支承时的所述衬底载置台的上升位置可变。

9.如权利要求8所述的衬底处理装置，其特征在于，

具有能够从工艺设定画面设定通过所述控制器实现的所述衬底载置台的上升位置的操作面板部。

10.如权利要求8所述的衬底处理装置，其特征在于，

所述控制器以在针对所述衬底的处理中使所述衬底载置台的上升位置可变的方式控制所述升降机构。

11.如权利要求10所述的衬底处理装置，其特征在于，

所述控制器以使向所述处理空间内供给所述气体时的所述衬底载置台的上升位置和不供给所述气体时的所述衬底载置台的上升位置不同的方式控制所述升降机构。

12.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：

衬底载置台上升工序，使在搬运空间的搬运位置载置有衬底的衬底载置台上升，使所述衬底上升到处理空间的衬底处理位置，并且在该上升过程中利用所述衬底载置台对传导性调节板的内周侧进行支承，所述传导性调节板的外周侧被隔板支承，所述隔板将所述搬运空间和所述处理空间分隔开；

气体供给工序，向所述衬底的处理空间内供给气体；

气体排放工序，使被供给到所述处理空间内的气体经由形成在所述传导性调节板上的气体流路流入到具有包围所述处理空间的侧方周围地设置的空间的排气缓冲室，而后从所述排气缓冲室内排气，并且，使所述传导性调节板预先构成为其外周侧端缘延伸到所述排气缓冲室内，使所述隔板预先构成为其内周端延伸到与所述气体流路相对的位置，而且使所述衬底载置台预先构成为在其外周端具有向所述隔板的下表面侧突出的突出部。