[发明专利]衬底处理装置及半导体装置的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及衬底处理装置及半导体装置的制造方法。

背景技术

一般来说，在半导体装置的制造工序中，使用针对晶圆等衬底进行成膜处理等工艺处理的衬底处理装置。作为衬底处理装置，一片一片地处理衬底的单片式装置是已知的。

作为单片式衬底处理装置所实施的工艺处理，有例如交替地供给多种处理气体的循环处理。在该循环处理中，针对处理空间内的衬底，例如以原料气体供给工序、吹扫工序、反应气体供给工序、吹扫工序为1个循环，使该循环反复进行规定次数(n循环)，由此向衬底上形成膜。因此，为了有效率地进行该循环处理，谋求同时实现对处理空间内衬底的气体供给均匀化和残留气体从处理空间内排气的迅速化。作为实现对处理空间内衬底的气体供给均匀化的技术，公知有例如专利文献1、2、3记载的那样调整排气传导性的技术。

【现有技术文献】

【专利文献1】日本特开2005-113268号公报

【专利文献2】日本特开2000-58298号公报

【专利文献3】日本特开2010-202982号公报

为更有效果地同时实现对处理空间内衬底的气体供给均匀化和残留气体从处理空间内排气的迅速化，希望构成为能够更恰当地进行排气传导性调节。

发明内容

因此，本发明的目的是提供一种衬底处理装置及半导体装置的制造方法，其能够恰当地进行排气传导性调节，由此能够可靠地实现膜形成时处理空间内压力的均匀化。

根据本发明的一方式，提供一种衬底处理装置，具有：

处理衬底的处理空间；

载置所述衬底的衬底载置台；

升降机构，使所述衬底载置台升降，并使所述衬底在搬运位置和所述处理空间内的衬底处理位置之间升降；

气体供给系统，向所述处理空间内供给气体；

排气缓冲室，具有以包围所述处理空间的侧方周围的方式设置的空间，供已供给至所述处理空间内的气体流入；

气体排放系统，对流入所述排气缓冲室内的气体进行排气；

传导性调节板，配置在所述衬底的外周侧，

所述传导性调节板在所述衬底处于所述衬底处理位置时，内周侧被所述衬底载置台支承，在所述衬底处于所述搬运位置时，外周侧被所述衬底载置台以外的部位支承，

所述传导性调节板在与从所述处理空间向所述排气缓冲室的气体流路相面对的内周侧端缘具有R状部分或斜坡倾斜状部分。

根据本发明的其他方式，提供一种半导体装置的制造方法，具有：

衬底载置台上升工序，使载置有衬底的衬底载置台上升，使所述衬底上升到处理空间的衬底处理位置，并且利用所述衬底载置台对配置在所述衬底的外周侧的、内周侧端缘具有R状部分或斜坡倾斜状部分的传导性调节板的内周侧进行支承；

气体供给工序，向所述衬底的处理空间内供给气体；

气体排放工序，使被供给到所述处理空间内的气体经由配置有所述传导性调节板的气体流路流入到具有包围所述处理空间的侧方周围地设置的空间的排气缓冲室，而后从所述排气缓冲室内排气。

发明的效果

根据本发明，能够恰当地进行排气传导性调节，由此能够可靠地实现膜形成时处理空间内压力的均匀化，其结果是，能够提高衬底上膜厚的均匀性。

附图说明

图1是本发明的一实施方式的单片式衬底处理装置的概要结构图。

图2是表示本发明的一实施方式的衬底处理工序的流程图。

图3是表示图2中的成膜工序的详细情况的流程图。

图4是表示图1的衬底处理装置中的传导性调节板的板配置的一具体例的概要结构例。

图5是表示图1的衬底处理装置中的传导性调节板的板形状的一具体例的概要结构例。

图6是表示图1的衬底处理装置中的传导性调节板和排气缓冲室的位置关系的一具体例的概要结构例。

附图标记的说明

100···衬底处理装置

200···晶圆(衬底)

201···处理空间

208···排气缓冲室

209···传导性调节板

209c···气体流路

209d···R状部分(圆角状部分)

209e···斜坡倾斜状部分

211···衬底载置面

212···衬底载置台

218···升降机构

230···喷头

242···共用气体供给管