[发明专利]一种新型半导体共轭聚合物及其合成方法

权利要求书

1.一种半导体共轭聚合物，其特征在于：所述的共轭聚合物是基于(噻吩基)吡咯并吡咯-二酮和(2-氧吲哚-3-亚基)苯并二呋喃-二酮的半导体共轭聚合物：所述共轭聚合物的结构式为：

其中，R₁为C₈-C₂₀烷烃链，R₂为C₈-C₂₄烷烃链，n≥1。

2.根据权利要求1所述的一种半导体共轭聚合物，其特征在于：所述的R₁为C₈-C₁₂直链或者C₈-C₂₀的支链烷烃；R₂为C₈-C₁₄的直链烷烃或者C₈-C₂₄的支链烷烃。

3.一种如要求1所述的半导体共轭聚合物的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

以(噻吩基)吡咯并吡咯-二酮频哪醇二硼单体，以(2-氧吲哚-3-亚基)苯并二呋喃-二酮双溴单体为原料，以三(二亚苄基丙酮)二钯为催化剂，三(邻甲基苯基)磷为配体的体系下,采用Suzuki交叉偶联反应得到所述的半导体共轭聚合物。

4.根据权利3要求所述的一种半导体共轭聚合物制备方法，其特征在于，所述的交叉偶联反应温度为80-130℃。

5.根据权利要求3所述的一种半导体共轭聚合物制备方法，其特征在于，所述交叉偶联反应时间为6-72小时。

6.根据权利要求3所述的一种半导体共轭聚合物制备方法，其特征在于，所述的(噻吩基)吡咯并吡咯-二酮频哪醇二硼单体、(2-氧吲哚-3-亚基)苯并二呋喃-二酮双溴单体、三(二亚苄基丙酮)二钯、三(邻甲基苯基)磷的用量摩尔比为1:1:0.02:0.04。