[发明专利]利用FIB切割以实现纳米级样品的三维观测方法在审
| 申请号： | 201410360305.3 | 申请日： | 2014-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN104155158A | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | 陈以欣;李晓旻 | 申请（专利权）人： | 胜科纳米（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28;G01N1/04;G01N23/22 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 利用 fib 切割 实现 纳米 样品 三维 观测 方法 | ||
1.一种利用FIB切割以实现纳米级样品的三维观测方法，该方法包括：
提供待测样品，所述待测样品具有缺陷；
对所述待测样品的感兴趣区域沿第一方向切割进行第一TEM薄片样品制备，获得第一TEM薄片样品，并从第二方向进行TEM观测；
对所述第一TEM薄片样品沿第二方向切割进行第二TEM薄片样品制备，获得第二TEM薄片样品，并从第一方向进行TEM观测；
对所述第二TEM薄片样品沿第一方向切割进行第三TEM薄片样品制备，获得第三TEM薄片样品，并从第三方向进行TEM观测；
所述第一方向、第二方向及第三方向两两垂直。
2.如权利要求1所述的利用FIB切割以实现纳米级样品的三维观测方法，其特征在于，利用FIB切割进行第一TEM薄片样品制备，所述第一TEM薄片样品的厚度大于等于所述缺陷所占据的最大长度。
3.如权利要求2所述的利用FIB切割以实现纳米级样品的三维观测方法，其特征在于，所述第一TEM薄片样品的厚度比所述缺陷所占据的最大长度大50nm～100nm。
4.如权利要求2所述的利用FIB切割以实现纳米级样品的三维观测方法，其特征在于，所述第一TEM薄片样品为与待测样品上表面呈0°或90°进行制备。
5.如权利要求2所述的利用FIB切割以实现纳米级样品的三维观测方法，其特征在于，在进行切割前，先在待测样品表面形成第一保护层。
6.如权利要求5所述的利用FIB切割以实现纳米级样品的三维观测方法，其特征在于，利用FIB切割并参考第一方向进行的TEM观测结果进行第二TEM薄片样品制备。
7.如权利要求6所述的利用FIB切割以实现纳米级样品的三维观测方法，其特征在于，在进行切割前，先利用FIB电子束在第一方向进行的TEM观测结果旁做标记，并在第一TEM薄片样品表面形成第二保护层，所述第二保护层的厚度大于第一保护层的厚度。
8.如权利要求7所述的利用FIB切割以实现纳米级样品的三维观测方法，其特征在于，所述第二保护层的厚度为50nm～500nm。
9.如权利要求8所述的利用FIB切割以实现纳米级样品的三维观测方法，其特征在于，利用FIB切割并参考第二方向进行的TEM观测结果进行第三TEM薄片样品制备。
10.如权利要求9所述的利用FIB切割以实现纳米级样品的三维观测方法，其特征在于，在进行切割前，先利用FIB电子束在第二方向进行的TEM观测结果旁做标记，并在第二TEM薄片样品表面形成第三保护层，所述第三保护层的厚度大于第二保护层的厚度。
11.如权利要求9所述的利用FIB切割以实现纳米级样品的三维观测方法，其特征在于，利用FIB原位提取法进行第二TEM薄片样品和第三TEM薄片样品制备。
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