[发明专利]一种取向膜的制备方法在审
| 申请号： | 201410360313.8 | 申请日： | 2014-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN104155805A | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | 王华锋;王成祥;吴云飞;孟战虎 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
| 主分类号： | G02F1/1337 | 分类号： | G02F1/1337 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 取向 制备 方法 | ||
1.一种取向膜的制备方法，其特征在于，包括：
在基板上形成覆盖基板的有效区域和无效区域的PI液并固化；
去除固化后的PI液位于基板的无效区域内的部分以形成取向层的图形。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述去除固化后的PI液位于基板的无效区域内的部分以形成取向层的图形，具体包括：
采用等离子轰击工艺去除固化后的PI液位于基板上无效区域内的部分以形成取向层的图形。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述采用等离子轰击工艺去除固化后的PI液位于基板上无效区域内的部分以形成取向层的图形，具体包括：
使用掩膜板覆盖所述基板，其中，掩膜板中的间隙与基板上的无效区域对应设置；
采用等离子轰击工艺对掩膜板覆盖的基板进行轰击，以去除基板上固化后的PI液中与掩膜板的间隙对应的部分。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，掩膜板中的间隙与基板上的无效区域正对设置。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述去除固化后的PI液位于基板的无效区域内的部分以形成取向层的图形，具体包括：
采用刻蚀工艺去除固化后的PI液位于基板上无效区域内的部分以形成取向层的图形。
6.根据权利要求1～5任一项所述的制备方法，其特征在于，所述在基板上涂布覆盖基板的有效区域和无效区域的PI液并固化，具体包括：
在转印版上涂布PI液，所述转印版涂布PI液的区域为整体区域；
将转印版上的涂布的PI液转印至基板上，转印至基板上的PI液覆盖所述基板的有效区域和无效区域；
对涂布于基板上的PI液进行预备干工艺；
对基板上预备干之后的取向层进行PI检测工艺；
对基板上的取向层进行主固化工艺。
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