[发明专利]一种取向膜的制备方法在审
申请号: | 201410360313.8 | 申请日: | 2014-07-25 |
公开(公告)号: | CN104155805A | 公开(公告)日: | 2014-11-19 |
发明(设计)人: | 王华锋;王成祥;吴云飞;孟战虎 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | G02F1/1337 | 分类号: | G02F1/1337 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 取向 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种取向膜的制备方法。
背景技术
在显示技术领域,液晶显示器件的制备工艺主要分为三大部分,即制备阵列基板、制备彩膜基板、以及阵列基板与彩膜基板的对盒;其中对阵列基板和彩膜基板进行对盒时的第一道工艺为取向膜制备工艺。
现有技术中,取向膜的制备工艺主要包括基板清洗、PI(Polyimide,聚酰亚胺)液涂布、预备干、PI检测、主固化五部分。其中,PI液涂布是将PI液涂布到基板上的一个步骤,具体为将PI液涂布到转印版上,然后再通过转印版将PI液转印到相应的基板上。
阵列基板和彩膜基板上均具有多个有效区域和多个无效区域,其中,每一个有效区域与阵列基板和彩膜基板对盒之后切割形成的一个小显示屏的有效显示区域对应;无效区域指的是基板上除有效区域之外的区域,包括与阵列基板和彩膜基板对盒之后切割形成的一个小显示屏的边框区域对应的区域;为保证基板上PI液涂布的效果,上述取向膜的制备工艺中使用的转印版需根据基板上的有效区域和无效区域进行区分,再将PI液涂布到转印版上时,仅在转印版中与基板的有效区域对应的区域涂布PI液,而在转印版中与基板的无效区域对应的区域没有涂布PI液。
但是,由于转印版上涂布的PI液为液态,再通过转印版将PI液涂布到基板上时由于PI液的流动性会流动,从而导致PI液涂布时无法通过转印版对基板上的无效区域进行严格的管控;特别是随着液晶显示器件的窄边框化,基板上的无线区域越来越窄,取向膜的制备工艺中采用转印版对基板上的无效区域进行管控越来越困难。
发明内容
本发明提供了一种取向膜的制备方法,上述取向膜的制备方法便于实现对基板上无效区域的管控。
为达到上述目的,本发明提供以下技术方案:
一种取向膜的制备方法,包括:
在基板上形成覆盖基板的有效区域和无效区域的PI液并固化;
去除固化后的PI液位于基板的无效区域内的部分以形成取向层的图形。
上述制备方法中,首先在基板上采用涂布等方式形成覆盖基板的有效区域和无效区域的PI液并固化,在将PI液涂布到基板上时不用区分基板的无效区域和有效区域,涂布在基板上的PI液固化后的各部分不再具有流动性,然后再去除固化后的PI液位于基板的无效区域内的部分,保留PI液固化后位于基板的有效区域内的部分,最终形成取向层的图形。
采用上述制备方法在基板上制备取向层时,对基板无效区域的管控是通过步骤去除固化后的PI液位于基板的无效区域内的部分以形成取向层的图形实现的,此时PI液已经固化,固化后PI液已经不具备流动性,因此,便于对基板无效区域的管控。
所以,采用上述制备方法制备取向层时便于实现对基板上无效区域的管控。
优选地,所述去除固化后的PI液位于基板的无效区域内的部分以形成取向层的图形,具体包括:
采用等离子轰击工艺去除固化后的PI液位于基板上无效区域内的部分以形成取向层的图形。
优选地,所述采用等离子轰击工艺去除固化后的PI液位于基板上无效区域内的部分以形成取向层的图形,具体包括:
使用掩膜板覆盖所述基板,其中,掩膜板中的间隙与基板上的无效区域对应设置;
采用等离子轰击工艺对掩膜板覆盖的基板进行轰击,以去除基板上固化后的PI液中与掩膜板的间隙对应的部分。
优选地,掩膜板中的间隙与基板上的无效区域正对设置。
优选地,所述去除固化后的PI液位于基板的无效区域内的部分以形成取向层的图形,具体包括:
采用刻蚀工艺去除固化后的PI液位于基板上无效区域内的部分以形成取向层的图形。
优选地,所述在基板上涂布覆盖基板的有效区域和无效区域的PI液并固化,具体包括:
在转印版上涂布PI液,所述转印版涂布PI液的区域为整体区域;
将转印版上的涂布的PI液转印至基板上,转印至基板上的PI液覆盖所述基板的有效区域和无效区域;
对涂布于基板上的PI液进行预备干工艺;
对基板上预备干之后的取向层进行PI检测工艺;
对基板上的取向层进行主固化工艺。
附图说明
图1为本发明实施例提供的取向层的制备方法的流程图;
图2为本发明一种实施例提供的制备方法中采用等离子轰击工艺时的原理结构图;
图3为本发明一种实施例提供的制备方法中采用等离子轰击工艺后的原理结构图。
具体实施方式
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