[发明专利]半导体器件的制备方法有效
| 申请号： | 201410360718.1 | 申请日： | 2014-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN105336700B | 公开（公告）日： | 2018-11-16 |
| 发明（设计）人： | 陈应杰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L27/11521;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 方法 | ||
1.一种半导体器件的制备方法，包括：
提供一半导体基底，所述半导体基底包括第一器件区以及第二器件区，所述第一器件区上形成有第一器件栅极结构，所述第二器件区上形成有第二器件栅极层，所述第一器件栅极结构的厚度大于所述第二器件栅极层的厚度；
形成第一保护层，所述第一保护层至少覆盖所述第一器件栅极结构的上表面；
选择性刻蚀所述第二器件栅极层，以形成第二器件栅极结构；
制备第二保护层，所述第二保护层覆盖所述第二器件栅极结构以及第一器件栅极结构，并暴露出所述第一器件栅极结构上的第一保护层；
去除所述第一器件栅极结构上的第一保护层；以及
去除所述第二保护层。
2.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第二保护层的材料为光阻。
3.如权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，采用灰化工艺去除所述第二保护层。
4.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一保护层的厚度大于等于
5.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一保护层的材料为氧化硅。
6.如权利要求5所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺去除所述第一保护层。
7.如权利要求6所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺的刻蚀液包括氢氟酸。
8.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺选择性刻蚀所述第二器件栅极层。
9.如权利要求1-8中任意一项所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一器件栅极结构包括在所述第一器件区上依次层叠的第一栅极、介质层以及第二栅极。
10.如权利要求9所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一保护层还覆盖所述第二器件栅极层。
11.如权利要求10所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述半导体器件的制备方法包括：
提供一半导体基底，所述半导体基底包括第一器件区以及第二器件区；
在所述第一器件区上形成所述第一栅极，并在所述第一栅极上形成所述介质层；
在所述半导体基底上形成一第二栅极层，所述第二栅极层覆盖所述介质层以及所述第二器件区；
在所述第二栅极层上形成一保护膜；
选择性刻蚀所述保护膜以及第二栅极层，以在所述介质层上形成层叠的所述第二栅极和所述第一保护层，并在所述第二器件区上形成层叠的所述第二器件栅极层和所述第一保护层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
