[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

(a)提供布线衬底，所述布线衬底包括上表面、与所述上表面相对的下表面、设置在所述下表面上的第一器件区域、设置在所述下表面上且设置在所述第一器件区域附近的第二器件区域、设置在所述第一器件区域和所述第二器件区域之间的划片区域、设置在所述下表面上并且设置在所述第一器件区域、所述第二器件区域和所述划片区域周围的外围部分、设置在所述外围部分中并且不设置在所述划片区域的延伸线上的目标标记、以矩阵形状设置在所述第一器件区域中的多个第一凸块焊区、以矩阵形状设置在所述第二器件区域中的多个第二凸块焊区、以及形成在所述下表面之上使得露出所述第一凸块焊区和所述第二凸块焊区的绝缘膜；其中：

所述第一凸块焊区具有第一最外外围凸块焊区行，所述第一最外外围凸块焊区行布置在所述第一凸块焊区中的最外外围行中并且最靠近所述划片区域，

所述第二凸块焊区具有第二最外外围凸块焊区行，所述第二最外外围凸块焊区行布置在所述第二凸块焊区中的最外外围行中并且最靠近所述划片区域，以及

所述目标标记在平面图中被设置在所述划片区域的延伸线与所述第一最外外围凸块焊区行和所述第二最外外围凸块焊区行的延伸线中的每个延伸线之间，

(b)在所述步骤(a)之后，将第一半导体芯片和第二半导体芯片中的每一个安装在所述布线衬底的上表面上；

(c)在所述步骤(b)之后，利用树脂密封所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片；

(d)在所述步骤(c)之后，分别在所述第一凸块焊区和所述第二凸块焊区上形成多个第一外部端子和多个第二外部端子；以及

(e)在所述步骤(d)之后，基于所述目标标记指定所述划片区域，并且沿着所述划片区域切割所述布线衬底，其中

在所述步骤(e)中，使用划片刀切割所述布线衬底。

2.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，

其中在所述布线衬底的上表面之上形成绝缘膜；

其中在所述第一凸块焊区和所述第二凸块焊区的表面中的每个表面上形成镀膜；

其中在形成所述镀膜的步骤中，通过使用在所述划片区域中形成的馈线来形成所述镀膜；以及

其中在形成所述镀膜之后，去除在所述布线衬底的所述划片区域中形成的所述馈线和覆盖所述馈线的所述绝缘膜。

3.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，

其中在所述布线衬底的划片区域中，设置用于镀覆以电连接到所述第一凸块焊区中的每一个和所述第二凸块焊区中的每一个的馈线；以及

其中所述馈线覆盖有所述绝缘膜。

4.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，

其中所述目标标记包括第一图案和第二图案，所述第二图案设置在所述第一图案附近并且与所述第一图案分开。

5.根据权利要求4所述的制造半导体器件的方法，

其中所述第一图案和所述第二图案的尺寸彼此不同。

6.根据权利要求4所述的制造半导体器件的方法，

其中所述第一图案和所述第二图案中的任一个具有第一延伸部分和第二延伸部分，所述第一延伸部分沿着所述划片区域的延伸方向延伸，所述第二延伸部分与所述第一延伸部分相交。

7.根据权利要求4所述的制造半导体器件的方法，

其中所述第一图案和所述第二图案中的每一个具有第一延伸部分和第二延伸部分，所述第一延伸部分沿着所述划片区域的延伸方向延伸，所述第二延伸部分与所述第一延伸部分相交。