[发明专利]一种LED的封装方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种LED的封装方法，属于半导体封装技术领域。

背景技术

在节能环保的大背景下，我国LED产业发展迅速，LED产业发展前景备受看好，EMC（环氧包封料）封装是LED行业目前高端发展方向之一。由于EMC封装方法中，引线框是通过湿法腐蚀工艺形成，即所谓的半刻蚀工艺，该工艺形成的引线框的框架本身的翘曲较大，导致芯片贴装与打线工艺较难调整，良率损失大；同时，该工艺形成的引框架刻蚀精度低，产品的一致性不好。

发明内容

本发明的目的在于克服上述传统引线框封装LED的不足，提供一种提高产品的良率和一致性的LED封装方法。

本发明的目的是这样实现的：

本发明一种LED的封装方法，其工艺过程如下：

取一载板和铁箔，在载板上固定铁箔；

在铁箔上贴光刻膜Ⅰ，顺次通过设定图形、曝光、显影，形成光刻膜Ⅰ开口图形；

在光刻膜Ⅰ开口图形内电镀金属，形成再布线金属层，并在再布线金属层的表面化学镀镍/金，通过去胶工艺去除剩余的光刻膜；

在完成再布线金属层的铁箔上贴光刻膜Ⅱ，顺次通过设定图形、曝光、显影，形成光刻膜Ⅱ开口图形，露出再布线金属层；

在光刻膜Ⅱ开口图形内电镀形成金属块，通过去胶工艺去除剩余的光刻膜，再布线金属层与金属块一对一连接，分别形成金属组块Ⅰ、金属组块Ⅱ、金属组块Ⅲ；

对形成金属组块Ⅰ、金属组块Ⅱ、金属组块Ⅲ的铁箔上方进行包封，形成包封层；

采用研磨、抛光的工艺减薄铁箔上方的包封层，露出金属组块Ⅰ、金属组块Ⅱ、金属组块Ⅲ的一端面，且在金属组块Ⅰ、金属组块Ⅱ、金属组块Ⅲ的该端面化学镀镍/金层；

将上述完成封装的结构上下翻转180°，取下载板，并腐蚀掉铁箔，露出金属组块Ⅰ、金属组块Ⅱ、金属组块Ⅲ的另一端面，在金属组块Ⅰ、金属组块Ⅱ、金属组块Ⅲ的该端面化学镀镍/金层；

在完成镍/金层的金属组块Ⅲ的表面点上粘合剂Ⅰ，并将LED芯片的背面通过粘合剂Ⅰ贴装至金属组块Ⅲ的区域内；

打线，将LED芯片的电极通过引线分别与金属组块Ⅰ、金属组块Ⅱ的再布线金属层连接；

点封装物，所述封装物包裹LED芯片及其引线；

将上述完成封装的LED封装结构切割成单颗封装体。

本发明所述金属组块Ⅲ的再布线金属层的边界不小于LED芯片的边界。

本发明所述光刻膜Ⅰ开口图形的开口尺寸不小于对应的光刻膜Ⅱ开口图形的开口尺寸。

本发明所述金属组块Ⅰ、金属组块Ⅱ、金属组块Ⅲ均呈T字型。

本发明所述金属组块Ⅰ、金属组块Ⅱ、金属组块Ⅲ的高度相等。

本发明所述金属块的高度为100微米～200微米。

本发明所述金属块的材质为金属铜。

本发明所述再布线金属层的材质为金属铜。

本发明在打线之后还包括步骤：在引线与金属组块Ⅰ、金属组块Ⅱ的连接处点上粘合剂Ⅱ。

本发明在点封装物之前还包括工艺步骤：在LED芯片的发光面喷涂荧光物质。

本发明采用光刻工艺结合电镀工艺实现金属引线框本体的再布线金属层和金属块，提升了金属引线框的加工精度。

本发明的有益效果是：

本发明的金属引线框通过高精度的电镀工艺实现，克服了湿法腐蚀工艺存在的框架的翘曲缺陷，有效地解决了芯片贴装与打线工艺的协调问题，提高了产品的良率和一致性。

附图说明       

图1为本发明一种LED的封装方法的流程示意图；

图2为本发明一种LED的封装方法的封装结构的实施例的剖面示意图；

图3为图2的各部件位置关系的俯视示意图；

图4至图17为图2实施例的封装方法的流程示意图；

其中，金属引线框本体1

包封层10

再布线金属层111、112、113

金属块121、122、123

金属组块Ⅰ11

金属组块Ⅱ12

金属组块Ⅲ13

镍/金层151、152

切割道16

LED芯片2

电极21、22

粘合剂Ⅰ31

粘合剂Ⅱ32

荧光物质4

引线51、52

封装物6

载板7

铁箔8

光刻膜Ⅰ91

光刻膜Ⅰ开口图形911