[发明专利]差错恢复封装组件有效
申请号: | 201410363788.2 | 申请日: | 2014-07-28 |
公开(公告)号: | CN104346250B | 公开(公告)日: | 2017-08-15 |
发明(设计)人: | M·D·赫顿 | 申请(专利权)人: | 阿尔特拉公司 |
主分类号: | G06F11/26 | 分类号: | G06F11/26 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司11245 | 代理人: | 赵蓉民 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 差错 恢复 封装 组件 | ||
1.一种电路系统,包括:
插入件;
所述插入件上的第一电路,其由第一可靠性度量值表征;和
所述插入件上的第二电路,其由不同于所述第一可靠性度量值的第二可靠性度量值表征,其中所述第二电路包括监测电路系统,其监测所述第一电路的性能,其中,所述第一可靠性度量值包括第一时间上的故障值,并且其中所述第二可靠性度量值包括第二时间上的故障值。
2.根据权利要求1所述的电路系统,其中,所述第二电路的所述第二时间上的故障值小于所述第一电路的所述第一时间上的故障值。
3.根据权利要求2所述的电路系统,其中,所述第二电路包括抗辐射电路,以及其中所述抗辐射电路包括监测电路系统,其通过所述插入件电耦合到所述第一电路。
4.根据权利要求3所述的电路系统,其中,所述第一电路包括安装到所述插入件的第一集成电路芯片,并且其中所述抗辐射电路包括安装到所述插入件的第二集成电路芯片。
5.根据权利要求4所述的电路系统,其中,所述插入件包括:
插入件基底;
所述插入件基底上的导电路径,其传送用于所述第一集成电路芯片和所述监测电路系统的信号;和
所述插入件基底上的迹线缓冲区电路系统,其耦合到所述导电路径,其中所述迹线缓冲区电路系统存储所传送的信号。
6.根据权利要求3所述的电路系统,其中,所述插入件包括有源插入件并且其中所述抗辐射电路形成所述有源插入件的部分。
7.一种封装组件,包括:
插入件;
安装在所述插入件上的第一集成电路和第二集成电路,其中所述第二集成电路包括监测电路系统,其监测所述第一集成电路的性能,其中所述第一集成电路和所述第二集成电路分别由第一可靠性度量值和第二可靠性度量值表征,其中,所述第一可靠性度量值包括第一时间上的故障值,并且其中所述第二可靠性度量值包括第二时间上的故障值。
8.根据权利要求7所述的封装组件,进一步包括至少一个非抗辐射集成电路,所述至少一个非抗辐射集成电路包括所述第一集成电路,并且其中所述第二集成电路包括抗辐射集成电路。
9.根据权利要求8所述的封装组件,其中,抗辐射集成电路包括所述监测电路系统并且其中所述至少一个非抗辐射集成电路包括通过所述插入件上的导电路径耦合到所述监测电路系统的多个非抗辐射集成电路芯片。
10.根据权利要求8所述的封装组件,其中所述电路系统包括使用网络协议接收和发送网络数据包的网络切换电路系统,其中所述非抗辐射集成电路包括数据处理电路,以及其中所述抗辐射集成电路包括控制所述数据处理电路的控制电路系统。
11.根据权利要求8所述的封装组件,其中所述插入件包括:
输入多路复用电路系统,其接收用于所述非抗辐射集成电路和所述抗辐射集成电路的输入信号并将所选择的输入信号路由到所述非抗辐射集成电路和所述抗辐射集成电路;和
输出多路复用电路系统,其从所述非抗辐射集成电路和所述抗辐射集成电路接收输出信号。
12.一种用于操作包括安装到插入件的集成电路的封装组件的方法,该方法包括以下步骤:
利用由第一可靠性度量值表征并且耦合到所述集成电路的抗辐射监测电路系统,监测所述集成电路的性能,其中所述集成电路由第二可靠性度量值表征,其中,所述第一可靠性度量值包括第一时间上的故障值,并且其中所述第二可靠性度量值包括第二时间上的故障值。
13.根据权利要求12所述的方法,其中所述集成电路包括可编程集成电路并且其中监测所述集成电路的性能包括:
利用所述抗辐射监测电路系统,使用测试配置来配置所述可编程集成电路;以及
在使用所述测试配置来配置所述可编程集成电路之后,利用所述抗辐射监测电路系统测试所述可编程集成电路的性能。
14.根据权利要求13所述的方法,其中,使用所述测试配置来配置所述可编程集成电路包括将所述可编程集成电路的至少一部分配置为环形振荡器。
15.根据权利要求13所述的方法,其中,使用所述测试配置来配置所述可编程集成电路包括利用启动和捕捉测试配置来配置所述可编程集成电路。
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