[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：

衬底，其具有绝缘层；

半导体层，其设置在所述绝缘层上，具有低压区域、高压区域以及连接区域；

第1沟槽隔离部，其将所述低压区域、所述高压区域以及所述连接区域彼此绝缘隔离；

低电位信号处理电路，其设置在所述低压区域，处理输入的第1信号并输出第2交流信号；

高电位信号处理电路，其设置在所述高压区域，在比所述低电位信号处理电路高的电位下进行动作，处理所述第2交流信号并输出第3信号；以及

电容，其设置在所述连接区域上，将所述第2交流信号从所述低电位信号处理电路传送至所述高电位信号处理电路，

所述电容具有与所述低电位信号处理电路连接的低电位电极和与所述高电位信号处理电路连接的高电位电极，

所述低电位电极具有层叠的多个第1配线层，

所述高电位电极具有层叠的多个第2配线层，

所述多个第1配线层与所述多个第2配线层彼此的侧壁相对而进行电容耦合。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1沟槽隔离部完全地包围所述低压区域、所述高压区域以及所述连接区域各自的周围。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

在俯视时，所述第1沟槽隔离部具有多重化的多个沟槽隔离部。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

还具有第2沟槽隔离部，该第2沟槽隔离部将在相邻的所述沟槽隔离部之间配置的所述半导体层绝缘分割为多个区域。

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述低电位电极和所述高电位电极在俯视时分别为具有多个齿的梳状，

所述低电位电极和所述高电位电极中一方的电极的齿在俯视时在3个方向上被另一方的电极包围。

6.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述低电位电极具有相互分离的第1以及第2低电位电极，

所述高电位电极具有相互分离的第1以及第2高电位电极，

所述第1低电位电极与所述第1高电位电极构成第1电容，

所述第2低电位电极与所述第2高电位电极构成第2电容，

在所述第1电容与所述第2电容之间配置有与固定电位连接的屏蔽电极。

7.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述低电位电极具有将相邻的所述第1配线层相互连接的第1导体部，

所述高电位电极具有将相邻的所述第2配线层相互连接的第2导体部，

所述第1配线层的宽度与所述第1导体部的宽度相等，

所述第2配线层的宽度与所述第2导体部的宽度相等。

8.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述低电位电极具有多个第1导体部，所述多个第1导体部将相邻的所述第1配线层相互连接，分离地配置在所述第1配线层的宽度方向的两个端部，

所述高电位电极具有多个第2导体部，所述多个第2导体部将相邻的所述第2配线层相互连接，分离地配置在所述第2配线层的宽度方向的两个端部。

9.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述低电位电极和所述高电位电极中一方的电极具有角部，另一方的电极具有与所述角部相对的切口，

所述角部与所述切口在俯视时以同心圆状倒圆。

10.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

还具有第3沟槽隔离部，该第3沟槽隔离部对所述低电位电极下方的所述半导体层与所述高电位电极下方的所述半导体层进行绝缘隔离。

11.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述低电位电极具有相互分离的第1以及第2低电位电极，

所述高电位电极具有相互分离的第1以及第2高电位电极，

所述第1低电位电极与所述第1高电位电极构成第1电容，

所述第2低电位电极与所述第2高电位电极构成第2电容，

所述半导体装置还具有第4沟槽隔离部，该第4沟槽隔离部对所述第1电容下方的所述半导体层与所述第2电容下方的所述半导体层进行绝缘隔离。