[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底内具有若干第一导电层，所述若干第一导电层的表面与所述衬底的表面齐平，所述第一导电层为条形且平行排列，所述第一导电层具有第一端和第二端，且若干第一导电层的第一端位于同一侧，若干第一导电层的第二端位于同一侧；

位于所述衬底和若干第一导电层的部分表面的复合磁性结构，所述复合磁性结构包括若干层绝缘层和若干层磁性层交错重叠，其中，两层相邻的绝缘层之间具有一层磁性层，所述磁性层的厚度为10纳米～100纳米，所述磁性层的数量大于或等于两层，所述复合磁性结构至少横跨于两条相邻的第一导电层表面，且所述复合磁性结构暴露出若干第一导电层的第一端和第二端表面；

位于所述复合磁性结构的两侧的若干第一导电插塞和若干第二导电插塞，所述若干第一导电插塞分别位于若干第一导电层的第一端表面，所述若干第二导电插塞分别位于若干第一导电层的第二端表面；

位于所述第一导电插塞、第二导电插塞和复合磁性结构的顶部表面的若干第二导电层，所述若干第二导电层为条形且平行排列，所述第二导电层的两端分别位于第一导电插塞和第二导电插塞的顶部表面，且所连接的第一导电插塞和第二导电插塞分别位于相邻两条第一导电层表面。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述磁性层为2层～100层。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述磁性层的材料为Co、Fe、CoFeB、NiFe、NiB、Ni。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述复合磁性结构的数量大于或等于1个；当所述复合磁性结构的数量大于1时，若干个复合磁性结构之间相互分立。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述复合磁性结构表面的停止层；所述停止层的材料为氮化硅或无定形碳。

6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述衬底和第一导电层表面的介质层，所述介质层的表面与复合磁性结构的表面齐平，所述第一导电插塞和第二导电插塞形成于所述介质层内，且所述第一导电插塞和第二导电插塞通过所述介质层与所述磁性层电隔离。

7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述若干第一导电层、若干第二导电层、若干第一导电插塞和若干第二导电插塞构成至少一个线圈结构，每一个线圈结构为一个导电通路，所述线圈结构围绕于所述复合磁性结构外部，且所述线圈结构与所述磁性层之间电隔离。

8.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，当所述第一导电层、第二导电层、第一导电插塞和第二导电插塞构成至少两个线圈结构时，所述至少两个线圈结构与复合磁性结构形成变压器。

9.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二导电层投影于衬底表面的图形与第一导电层之间具有夹角，所述夹角为15°～75°。

10.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘层的材料为氧化硅、氮化硅、低K介质材料、聚合物材料或金属氧化物材料。

11.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一导电插塞或第二导电插塞的材料包括钨或铜。

12.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一导电层或第二导电层的材料包括铜或铝。