[发明专利]半导体结构及其形成方法有效

专利信息
申请号: 201410367357.3 申请日: 2014-07-29
公开(公告)号: CN105336842B 公开(公告)日: 2019-03-12
发明(设计)人: 洪中山;蒲贤勇 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L41/08 分类号: H01L41/08;H01L41/22
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 应战;骆苏华
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 半导体 结构 及其 形成 方法
【说明书】:

一种半导体结构及其形成方法,结构包括:衬底,衬底内具有若干平行排列的第一导电层,第一导电层具有第一端和第二端;位于衬底和若干第一导电层的部分表面的复合磁性结构,复合磁性结构包括重叠的绝缘层、以及相邻两层绝缘层之间的磁性层,复合磁性结构暴露出第一导电层的第一端和第二端表面;位于复合磁性结构的两侧的若干第一导电插塞和第二导电插塞,第一导电插塞分别位于若干第一导电层的第一端表面,第二导电插塞分别位于若干第一导电层的第二端表面;位于第一导电插塞、第二导电插塞和复合磁性结构的顶部表面的若干平行排列的第二导电层,第二导电层的两端分别位于第一导电插塞和第二导电插塞的顶部表面。所述半导体结构的性能改善。

技术领域

发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

背景技术

变压器(Transformer)是基于电磁感应的原理,用于改变交流电压的装置,常用的变压器包括初级线圈、次级线圈和磁芯,通过在所述磁芯上绕置初级线圈和次级线圈,能够将电能自初级线圈转移到次级线圈中。变压器具体工作原理包括:首先,在初级线圈中通入电流,该螺旋线圈中的电流能够在磁芯中感应出磁场;通过改变所述初级线圈中的电流,能够使磁体中的磁场强度发生变化;所述磁场强度的变化能够在次级线圈内感应出电流,从而实现使电能的转移。

图1是现有技术的变压器的结构示意图,包括:磁芯100,所述磁芯100呈环形结构;环绕于所述磁芯100外表面的初级线圈101和次级线圈102,所述初级线圈101和次级线圈102相互独立,且所述初级线圈101和次级线圈102与磁芯100之间电隔离。对所述初级线圈101两端施加电压,能够使初级线圈101内产生电流,通过电磁感应使所述次级线圈102的两端产生电势差,通过在所述次级线圈102两端接入负载,能够使所述次级线圈102内产生电流。

然而,现有的变压器性能不稳定。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种半导体结构及其形成方法,提高半导体结构的性能和稳定性。

为解决上述问题,本发明提供一种半导体结构,包括:衬底,所述衬底内具有若干第一导电层,所述若干第一导电层的表面与所述衬底的表面齐平,所述第一导电层为条形且平行排列,所述第一导电层具有第一端和第二端,且若干第一导电层的第一端位于同一侧,若干第一导电层的第二端位于同一侧;位于所述衬底和若干第一导电层的部分表面的复合磁性结构,所述复合磁性结构包括若干层绝缘层和若干层磁性层交错重叠,其中,两层相邻的绝缘层之间具有一层磁性层,所述复合磁性结构至少横跨于两条相邻的第一导电层表面,且所述复合磁性结构暴露出若干第一导电层的第一端和第二端表面;位于所述复合磁性结构的两侧的若干第一导电插塞和若干第二导电插塞,所述若干第一导电插塞分别位于若干第一导电层的第一端表面,所述若干第二导电插塞分别位于若干第一导电层的第二端表面;位于所述第一导电插塞、第二导电插塞和复合磁性结构的顶部表面的若干第二导电层,所述若干第二导电层为条形且平行排列,所述第二导电层的两端分别位于第一导电插塞和第二导电插塞的顶部表面,且所连接的第一导电插塞和第二导电插塞分别位于相邻两条第一导电层表面。

可选的,所述磁性层的数量大于或等于两层。

可选的,所述磁性层为2层~100层。

可选的,所述磁性层的材料为Co、Fe、CoFeB、NiFe、NiB、Ni。

可选的,所述复合磁性结构的数量大于或等于1个;当所述复合磁性结构的数量大于1时,若干个复合磁性结构之间相互分立。

可选的,还包括:位于所述复合磁性结构表面的停止层;所述停止层的材料为氮化硅或无定形碳。

可选的,还包括:位于所述衬底和第一导电层表面的介质层,所述介质层的表面与复合磁性结构的表面齐平,所述第一导电插塞和第二导电插塞形成于所述介质层内,且所述第一导电插塞和第二导电插塞通过所述介质层与所述磁性层电隔离。

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