[发明专利]氧化物薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法和显示装置

权利要求书

1.一种氧化物薄膜晶体管，包括：

衬底基板；和

依次设置在所述衬底基板上的栅极、栅绝缘层、氧化物有源层、源漏电极；

所述氧化物薄膜晶体管还包括：

设置在氧化物有源层之上的紫外阻挡层，其中所述紫外阻挡层由包括紫外吸收剂的树脂材料制成。

2.根据权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管，还包括设置在所述氧化物有源层和所述源漏电极之间的刻蚀阻挡层，其中所述紫外阻挡层用作所述刻蚀阻挡层。

3.根据权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管，还包括依次设置在源漏电极上的第一钝化层和第一保护层，其中所述紫外阻挡层用作所述第一钝化层和所述第一保护层中的至少一个。

4.根据权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管，还包括设置在所述氧化物有源层和所述源漏电极之间的刻蚀阻挡层，以及依次设置在源漏电极上的第一钝化层和第一保护层，其中所述紫外阻挡层用作所述刻蚀阻挡层、所述第一钝化层和所述第一保护层中的至少一个。

5.根据权利要求1至4任一项所述的氧化物薄膜晶体管，其中所述紫外吸收剂包括水杨酸酯类、苯酮类、苯并三唑类、取代丙烯腈类、三嗪类和受阻胺类吸收剂。

6.根据权利要求1至5任一项所述的氧化物薄膜晶体管，其中所述树脂材料选自至少一个由环氧树脂、丙烯酸树脂、酚醛树脂或聚酰胺树脂构成的组。

7.根据权利要求1至6任一项所述的氧化物薄膜晶体管，其中所述树脂材料中的紫外吸收剂按重量百分比为0.1wt％～10.0wt％，并且所述紫外阻挡层的厚度为0.5μm～1.5μm。

8.一种氧化物薄膜晶体管的制造方法，包括：

在衬底基板上形成栅极、栅绝缘层和氧化物有源层；以及

在氧化物有源层之上形成紫外阻挡层，其中所述紫外阻挡层由包括紫外吸收剂的树脂材料制成。

9.根据权利要求8所述的制造方法，还包括：

在所述氧化物有源层上形成刻蚀阻挡层，其中所述刻蚀阻挡层为所述紫外阻挡层。

10.根据权利要求8所述的制造方法，还包括：

在所述氧化物有源层上依次形成源漏电极、第一钝化层和第一保护层，其中所述第一钝化层和所述第一保护层中的至少一个为所述紫外阻挡层。

11.根据权利要求8所述的制造方法，还包括：

在所述氧化物有源层上依次形成刻蚀阻挡层、源漏电极、第一钝化层和第一保护层，其中所述刻蚀阻挡层、所述第一钝化层和所述第一保护层中的至少一个为所述紫外阻挡层。

12.根据权利要求8至11任一项所述的氧化物薄膜晶体管，其中所述紫外吸收剂包括水杨酸酯类、苯酮类、苯并三唑类、取代丙烯腈类、三嗪类和受阻胺类吸收剂。

13.根据权利要求8至12任一项所述的氧化物薄膜晶体管，其中所述树脂材料选自至少一个由环氧树脂、丙烯酸树脂、酚醛树脂或聚酰胺树脂构成的组。

14.根据权利要求8至13任一项所述的氧化物薄膜晶体管，其中所述树脂材料中的紫外吸收剂按重量百分比为0.1wt％～10.0wt％，并且所述紫外阻挡层的厚度为0.5μm～1.5μm。

15.根据权利要求8至14任一项所述的氧化物薄膜晶体管，其中形成紫外阻挡层包括：

将紫外吸收剂添加到树脂材料中以形成混合物；以及

涂覆并且固化所述混合物以形成紫外阻挡层。

16.一种氧化物薄膜晶体管阵列基板，包括权利要求1至7任一项所述的氧化物薄膜晶体管。

17.根据权利要求16所述的氧化物薄膜晶体管阵列基板，还包括依次设置在所述氧化物薄膜晶体管上的第一电极和第二钝化层，所述第二钝化层由包括紫外吸收剂的树脂材料制成。

18.根据权利要求16所述的氧化物薄膜晶体管阵列基板，还包括依次设置在所述氧化物薄膜晶体管上的第一电极、第二钝化层、第二电极和第二保护层，其中所述第二钝化层和所述第二保护层中的至少一个由包括紫外吸收剂的树脂材料制成。