[发明专利]氧化物薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法和显示装置

说明书

技术领域

本公开涉及液晶显示领域，尤其涉及一种氧化物薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板及其制造方法，以及包括该氧化物薄膜晶体管阵列基板的显示装置。

背景技术

随着显示器件的越发成熟，氧化物有源层的需求越来越高。氧化物半导体作为有源层材料，相比传统的非晶硅(a-Si)材料具有载流子迁移率高、制备温度低、大面积均匀性优良、光学透过率高等优势，这些优势也决定了氧化物薄膜晶体管(Oxide TFT)适用于制备高分辨率的TFT-LCD、AM-OLED、柔性显示、透明显示等新型显示器件。

然而，氧化物薄膜晶体管的稳定性问题是制造商们一直关注的问题，尤其是当氧化物器件暴露于紫外照射下时，对器件会造成损伤。从材料特性上看，氧化物半导体的禁带宽度一般在3.2eV～3.6eV，对短波长紫外光有很好的吸收作用。因此，在光照和长时间负偏栅压作用下，氧化物薄膜晶体管(例如IGZO TFT)的阈值通常会大幅向负向移动，造成器件功能失效。由于在不同的偏压条件下、不同的界面状态下、不同的制备工艺下该阈值会表现出不同的变化趋势，因此很难在光照下长期保持薄膜晶体管的稳定性。目前只能通过常规的光生空穴的注入与捕获原理以及光生载流子在沟道表面处产生不同能级的亚态从而影响到空穴的注入与捕获的总体效果来定性解释。

为此，很多研究机构提出了一些改善措施，如使用顶栅结构，或使用彩膜阵列基板(COA)结构，或使用BOA结构等，但这些方法不能及时有效的进行有源层的保护，而且体现不出氧化物半导体透明性的特点，限制了氧化物半导体的应用范围。

发明内容

根据本发明第一方面，提供一种氧化物薄膜晶体管，包括：衬底基板；和依次设置在所述衬底基板上的栅极、栅绝缘层、氧化物有源层、源漏电极；所述氧化物薄膜晶体管还包括：设置在氧化物有源层之上的紫外阻挡层，其中所述紫外阻挡层由包括紫外吸收剂的树脂材料制成。

根据本发明第二方面，提供一种氧化物薄膜晶体管的制造方法，包括：在衬底基板上形成栅极、栅绝缘层和氧化物有源层；以及在氧化物有源层之上形成紫外阻挡层，其中所述紫外阻挡层由包括紫外吸收剂的树脂材料制成。

根据本发明第三方面，提供一种氧化物薄膜晶体管阵列基板，包括以上所述的氧化物薄膜晶体管。

根据本发明第四方面，提供一种氧化物薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括用以上所述的方法制造氧化物薄膜晶体管。

根据本发明第五方面，提供一种显示装置，包括以上所述的氧化物薄膜晶体管阵列基板。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本发明的一些实施例，而非对本发明的限制。

图1示意性示出了根据本发明实施例的氧化物薄膜晶体管；

图2示意性示出了根据本发明实施例的氧化物薄膜晶体管；

图3示意性示出了根据本发明实施例的氧化物薄膜晶体管阵列基板；

图4示意性示出了根据本发明实施例的氧化物薄膜晶体管阵列基板；

图5示意性示出了根据本发明实施例的氧化物薄膜晶体管阵列基板；

图6a至6i示意性示出了根据本发明实施例的氧化物薄膜晶体管阵列基板的制造方法的各个步骤。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

除非另作定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明专利申请说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵盖出现在“包括”或者“包含”后面列举的元件或者物件及其等同，并不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

实施例一