[发明专利]稀土磁铁的制造方法、磁铁和异常大晶粒成因的检测方法有效

专利信息
申请号: 201410368043.5 申请日: 2014-07-30
公开(公告)号: CN104091687A 公开(公告)日: 2014-10-08
发明(设计)人: 永田浩;陈首学 申请(专利权)人: 厦门钨业股份有限公司
主分类号: H01F41/02 分类号: H01F41/02;H01F1/053;G01N21/00;G01N23/203
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 361015 福建*** 国省代码: 福建;35
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 稀土 磁铁 制造 方法 异常 晶粒 成因 检测
【权利要求书】:

1.稀土磁铁的制造方法,其特征在于,包括如下的步骤:

1)通过熔炼、甩带、吸氢、气流磨、磁场成形和烧结的工序获得试制稀土磁铁;

2)打磨所述试制稀土磁铁,获得异常大晶粒所在区域的光滑表面;

3)观察所述光滑表面中每一异常大晶粒上的磁畴方向与观察面的夹角;

4)若发现每一异常大晶粒上的磁畴方向均与观察面的夹角同时呈现至少两种的变化之时,则通过在步骤1的气流磨之后增加去除粒径超过25μm的大颗粒的过筛工序,其余工序采用与步骤1相同的工序,制得不含有异常大晶粒的烧结磁体;

若发现每一异常大晶粒上的磁畴方向均与观察面的夹角仅呈现一种类型的变化之时,则调节烧结工序的工艺参数,其余步骤依照步骤1相同的工序,制得不含有异常大晶粒的烧结磁体;

若发现部分异常大晶粒上的磁畴方向与观察面的夹角同时呈现至少两种的变化,部分异常大晶粒上的磁畴方向与观察面的夹角仅呈现一种类型的变化之时,则在步骤1的气流磨之后增加去除粒径超过25μm的大颗粒的过筛工序,并调节烧结工序的工艺参数,其余工序采用与步骤1相同的工序,制得不含有异常大晶粒的稀土磁体。

2.根据权利要求1所述的稀土磁铁的制造方法,其特征在于:所述稀土磁铁为R-T-B系磁铁,含有R2Fe14B型主相,所述的R为包括Nd的至少一种稀土元素,所述T为包括Fe的过渡金属元素。

3.根据权利要求1或2所述的稀土磁铁的制造方法,其特征在于:所述的异常大晶粒为其粒径超过25μm的晶粒。

4.根据权利要求2所述的稀土磁铁的制造方法,其特征在于:所述光滑表面垂直于C轴方向。

5.根据权利要求4所述的稀土磁铁的制造方法,其特征在于:通过偏光显微镜或电子背散射衍射观察所述磁畴方向。

6.一种稀土磁铁,其特征在于:该磁铁为通过权利要求1的制造方法制得的不含有异常大晶粒的稀土磁铁。

7.异常大晶粒成因的检测方法,所述稀土磁铁通过至少包括熔炼、甩带、吸氢、气流磨、磁场成形和烧结的工序获得,并具有至少1个的异常大晶粒,其特征在于,包括如下的步骤:

1)打磨所述稀土磁铁,获得所述异常大晶粒所在区域的光滑表面;

2)观察所述光滑表面中每一异常大晶粒上的磁畴方向与观察面的夹角是否呈现至少两种的变化;

3)若一异常大晶粒上的磁畴方向与观察面的夹角呈现至少两种的变化,则该异常大晶粒由混入的异常大颗粒在烧结阶段形成。

8.根据权利要求7所述的异常大晶粒成因的检测方法,其特征在于:所述的异常大颗粒为其粒径超过25μm的粉末,所述的异常大晶粒为其粒径超过25μm的晶粒。

9.根据权利要求8所述的异常大晶粒成因的检测方法,其特征在于:所述光滑表面垂直于C轴方向。

10.根据权利要求7所述的异常大晶粒成因的检测方法,其特征在于:通过偏光显微镜或电子背散射衍射观察所述磁畴方向。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门钨业股份有限公司,未经厦门钨业股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410368043.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top