[发明专利]双极晶体管、半导体装置以及双极晶体管的制造方法

权利要求书

1.一种双极晶体管，其特征在于，包括：

俯视时具有长边方向及短边方向的集电极层，所述集电极层的所述短边方向沿着结晶方位[011]，且与所述短边方向正交的截面形状为倒台面型，与所述长边方向正交的截面形状为正台面型；

形成于所述集电极层上的基极层；

形成于所述基极层上的基极电极；以及

与所述基极电极相连接、俯视时从所述集电极层的所述短边方向的端部向所述集电极层的外部引出的基极布线，

所述基极层俯视时具有长边方向及短边方向，且与所述集电极层具有相同的结晶方位，所述基极层的所述短边方向沿着所述结晶方位[011]，与所述基极层的所述短边方向正交的截面的形状为倒台面型，与所述基极层的所述长边方向正交的截面的形状为正台面型。

2.如权利要求1所述的双极晶体管，其特征在于，

所述基极布线俯视时相对于所述集电极层的短边方向倾斜地引出。

3.如权利要求1或2所述的双极晶体管，其特征在于，

还具有形成于基板与所述集电极层之间、与所述集电极层具有相同的结晶方位的子集电极层，所述子集电极层的与所述集电极层的所述短边方向正交的截面形状为倒台面型，与所述集电极层的所述长边方向正交的截面形状为正台面型。

4.如权利要求3所述的双极晶体管，其特征在于，

所述基板是GaAs基板。

5.一种半导体装置，其特征在于，

该半导体装置具有权利要求1所述的双极晶体管即第一双极晶体管、以及第二双极晶体管，该第二双极晶体管包括：俯视时具有长边方向及短边方向的集电极层，所述集电极层的所述长边方向沿着结晶方位[011]，且与所述短边方向正交的截面形状为倒台面型，与所述长边方向正交的截面形状为正台面型；形成于所述集电极层上的基极层；形成于所述基极层上的基极电极；以及与所述基极电极相连接、俯视时从所述集电极层的所述长边方向的端部向所述集电极层的外部引出的基极布线。

6.一种双极晶体管的制造方法，其特征在于，包括如下工序：

在基板上形成集电极层及基极层的工序；

对所述集电极层和所述基极层进行湿法蚀刻，使得俯视时所述集电极层的短边方向沿着所述集电极层的结晶方位[011]的工序；

在所述基极层上形成基极电极的工序；以及

利用物理气相蒸镀法形成基极布线的工序，该基极布线与所述基极电极相连接，且俯视时从位于所述集电极层的短边方向的所述集电极层的端部向所述集电极层的外部引出，

所述基极层俯视时具有长边方向及短边方向，且与所述集电极层具有相同的结晶方位，所述基极层的所述短边方向沿着所述结晶方位[011]，与所述基极层的所述短边方向正交的截面的形状为倒台面型，与所述基极层的所述长边方向正交的截面的形状为正台面型。