[发明专利]双极晶体管、半导体装置以及双极晶体管的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及双极晶体管、半导体装置以及双极晶体管的制造方法。

背景技术

以往，尝试在基板上具有集电极层、基极层、发射极层的双极晶体管的开发。

专利文献1中揭示了如下双极晶体管：连接与基极层相接的基极电极的基极布线在俯视时从长方形的集电极层的长边方向的端部引出。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2004-327904号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

然而，在专利文献1所记载的双极晶体管中，对集电极层进行湿法蚀刻，因此依赖于集电极层的结晶方位产生蚀刻的各向异性。其结果，集电极层的与结晶方位[011]正交的截面形状为倒台面型，沿着结晶方位[011]的截面形状为正台面型。

这里，由于基极布线从集电极层的长边方向的端部引出，因此在集电极层的短边方向沿着结晶方位[011]的情况下，基极布线从倒台面型的集电极层的端部向集电极层的外部引出，由此可能由于台面的段差而导致断线。

本发明的一个目的在于，即使在集电极层的短边方向沿着结晶方位[011]的情况下，也能抑制基极布线的断线。

解决技术问题所采用的技术方案

本发明的一个侧面所涉及的双极晶体管包括：俯视时具有长边方向及短边方向的集电极层，所述集电极层的所述短边方向沿着结晶方位[011]，且与所述短边方向正交的截面形状为倒台面型，与所述长边方向正交的截面形状为正台面型；形成于所述集电极层上的基极层；形成于所述基极层上的基极电极；以及与所述基极电极相连接，俯视时从所述集电极层的所述短边方向的端部向所述集电极层的外部引出的基极布线。

发明效果

根据本发明，即使在集电极层的短边方向沿着结晶方位[011]的情况下，也能抑制基极布线的断线。

附图说明

图1是作为本发明实施方式1所涉及的双极晶体管的一个示例的HBT的俯视图。

图2是图1的A-A剖视图。

图3是图1的B-B剖视图。

图4是图1的C-C剖视图。

图5是图1的D-D剖视图。

图6是作为本发明实施方式2所涉及的双极晶体管的一个示例的HBT的俯视图。

图7是本发明实施方式3所涉及的半导体装置的俯视图。

图8是本发明实施方式4所涉及的半导体装置的俯视图。

图9是本发明实施方式5所涉及的半导体装置的俯视图。

图10是应用实施方式1所涉及的基极布线的引出方法的BiFET的剖视图。

具体实施方式

下面，参照附图说明本发明的实施方式。然而，以下说明的实施方式仅是示例，并不意图排除以下未示出的各种变形、技术的应用。即，本发明在不脱离本发明的要点的范围内可以进行各种变形来实施(对各实施例进行组合等)。在下面的附图的记载中，对同一或者类似的部分标注同一或者类似的标记来表示。附图是示意性图，实际的尺寸、比率等并不一定一致。在各附图之间也包含有彼此尺寸关系、比率不同的部分。

(实施方式1)

本发明实施方式1所涉及的双极晶体管主要在基板上包括集电极层、基极层、以及发射极层。本发明的实施方式1作为晶体管，举出了集电极层与基极层、以及基极层与发射极层的至少一方进行异质结而构成的异质结双极晶体管(以下称为“HBT(Heterojunction Bipolar Transistor)”)的一个示例。

<结构>

首先，对实施方式1所涉及的HBT的结构进行说明。图1是作为本发明实施方式1所涉及的双极晶体管的一个示例的HBT10的俯视图。图2是图1的A-A剖视图。图3是图1的B-B剖视图。图4是图1的C-C剖视图。图5是图1的D-D剖视图。

本实施方式的HBT10形成于基板，例如板状的化合物半导体基板12上。

对于化合物半导体基板12的材料并未作特别限定，例如可举出具有结晶结构的材料。作为具有结晶结构的材料可举出GaAs、Si、InP、Sic、GaN等。并且，在其中，优选为作为主要成分含有与InP等相比廉价且容易大口径化的GaAs或者Si。另外，“主要成分”是指作为主要成分的材料占某个基板或者某个层整体的比例在80质量％以上。本实施方式中，化合物半导体基板12例如由GaAs构成。图1等中作为GaAs的一部分结晶方位示出了结晶方位[011]、结晶方位[010]、以及结晶方位[01-1]。