[发明专利]铝电极、形成铝电极的方法及其电子设备

权利要求书

1. 一种铝电极，包括：

由钼构成的底层；

由钼构成的顶层；和

位于所述底层和顶层之间的铝层，其中所述底层、顶层和铝层是在120℃以下的温度下形成的。

2. 根据权利要求1所述的铝电极，其特征在于，所述底层、顶层和铝层是在50℃或者80℃形成的。

3. 一种铝电极，包括：

由金属或者金属合金的氮化物构成的底层；

由钼构成的顶层；和

位于所述底层和顶层之间的铝层，其中所述底层、顶层和铝层是在120℃以下的温度下形成的。

4. 根据权利要求3所述的铝电极，其特征在于，所述底层、顶层和铝层是在50℃或者80℃形成的。

5. 根据权利要求3所述的铝电极，其特征在于，所述金属氮化物是选自MoN_x和AlN_x之一，所述金属合金的氮化物是选自MoNbN_x和MoWN_x之一。

6. 根据权利要求5所述的铝电极，其特征在于，所述金属氮化物是MoN_x。

7. 根据权利要求5所述的铝电极，其特征在于，在制作所述金属氮化物或所述金属合金的氮化物时，x的范围在0－3之间。

8. 根据权利要求7所述的铝电极，其特征在于，x为2。

9. 根据权利要求3-8中任一项所述的铝电极，其特征在于，所述底层的厚度在100埃－300埃之间，所述铝层的厚度在2000埃－4000埃之间，所述顶层的厚度在600埃－1000埃之间。

10. 一种形成铝电极的方法，包括：

在120℃以下的温度下形成由钼构成的底层；由钼构成的顶层；和位于所述底层和顶层之间的铝层。

11. 根据权利要求10所述的形成铝电极的方法，其中在50℃或者80℃形成由钼构成的底层；由钼构成的顶层；和位于所述底层和顶层之间的铝层。

12. 一种形成铝电极的方法，包括：

在120℃以下的温度下形成由金属或者金属合金的氮化物构成的底层；由钼构成的顶层；和位于所述底层和顶层之间的铝层。

13. 根据权利要求12所述的形成铝电极的方法，其中在50℃或者80℃形成由金属或者金属合金的氮化物构成的底层；由钼构成的顶层；和位于所述底层和顶层之间的铝层。

14. 根据权利要求12所述的形成铝电极的方法，其特征在于，所述金属氮化物是选自MoN_x和AlN_x之一，所述金属合金的氮化物是选自MoNbN_x和MoWN_x之一。

15. 根据权利要求14所述的形成铝电极的方法，其特征在于，所述金属氮化物是MoN_x。

16. 根据权利要求14所述的形成铝电极的方法，其特征在于，在制作所述金属氮化物或所述金属合金的氮化物时，x的范围在0－3之间。

17. 根据权利要求16所述的形成铝电极的方法，其特征在于，x为2。

18. 根据权利要求16所述的形成铝电极的方法，其特征在于，所述底层的厚度在100埃－300埃之间，所述顶层的厚度在600埃－1000埃之间，所述铝层的厚度在2000埃－4000埃之间。

19. 一种电子设备，包括根据权利要求1－9中任一项所述的铝电极或者使用权利要求10-18中任一项所述的形成铝电极的方法。