[发明专利]氧化铟锡低温沉积方法及系统

权利要求书

1.一种氧化铟锡低温沉积方法，其特征在于，包括以下步骤：

将基材置于真空镀膜室内，所述真空镀膜室内具有氧化铟锡靶材，在所述氧化铟锡靶材周围安装冷却脱汽装置；

用冷却脱汽装置对基材进行脱汽处理，去除水汽和杂质气体；

控制所述氧化铟锡靶材的表面磁场强度在600-900高斯范围内，在100℃温度以下和工作气体下进行真空镀膜，在基材上形成氧化铟锡镀膜。

2.如权利要求1所述的氧化铟锡低温沉积方法，其特征在于，所述氧化铟锡靶材中氧化铟和氧化锡的重量百分比范围分别为85-90%和10-15%。

3.如权利要求1所述的氧化铟锡低温沉积方法，其特征在于，所述冷却脱汽装置为冷阱。

4.如权利要求3所述的氧化铟锡低温沉积方法，其特征在于，所述冷阱包括低温捕集泵和/或低温冷凝泵。

5.如权利要求1所述的氧化铟锡低温沉积方法，其特征在于，在脱汽处理前先将基材加热，使所述基材中的水汽和气体杂质释放出来。

6.如权利要求1所述的氧化铟锡低温沉积方法，其特征在于，所述工作气体为氩氧混合气，镀膜前真空度控制在1.0*10-3Pa以下，镀膜时真空度在1.0*10-1Pa-5.0*10-1Pa范围内。

7.如权利要求1所述的氧化铟锡低温沉积方法，其特征在于，所述真空镀膜开机温度为20-50°C，镀膜操作时镀膜室内温度为70-80°C。

8.一种氧化铟锡低温沉积系统，其包括真空镀膜室、氧化铟锡靶材以及与靶材位置相对的基材支撑装置，其特征在于，还包括用于致冷去除真空镀膜室内水汽和杂质气体的冷却脱汽装置以及磁场装置，所述冷却脱汽装置安装于氧化铟锡靶材周围，所述磁场装置发出的磁场使氧化铟锡靶材的表面磁场强度在600-900高斯范围内。

9.如权利要求8所述的氧化铟锡低温沉积系统，其特征在于，所述冷却脱汽装置为冷阱，所述冷阱包括低温捕集泵和/或低温冷凝泵。

10.如权利要求8所述的氧化铟锡低温沉积系统，其特征在于，所述冷却脱汽装置配有用于对基材预先加热的加热器。