[发明专利]氧化铟锡低温沉积方法及系统

说明书

技术领域

本发明涉及薄膜沉积技术领域，具体涉及一种氧化铟锡低温沉积方法及系统。

背景技术

氧化铟锡（简称ITO）的真空镀膜技术发展的越来越成熟，尤其是在比较高的温度下，氧化铟锡的镀膜技术已经接近完善，但在低温度尤其是室温的状态下，氧化铟锡的镀膜技术就不那么成熟，在低温状态下的氧化铟锡成膜质量也非常的不高，进而影响其产品的功能。  

现在触摸屏市场上单片式触摸屏走的是先印刷油墨，然后再镀氧化铟锡，油墨不耐高温尤其是白色油墨和彩色油墨，对温度很是敏感，再加上触摸屏用的透明氧化铟锡导电膜，基材是不耐高温的PET卷材，根本不能承受高温。

目前，氧化铟锡的真空镀膜主要采以下三种方式：

1.  ITO 玻璃的高温镀膜，即是在很高的温度下，沉积ITO膜。此镀膜方式不足在于，缺点就是温度高， 不适合不耐高温的基材沉积ITO膜，导致成膜质量在光学性能和其他性能方面不高。

2. 用特殊阴极加特殊电源，可以低温沉积ITO膜，但温度低是相对ITO高温而言，不是真正的低温镀或室温镀ITO膜。此镀膜方式不足在于，温度低是相对的，也不是真正的低温镀膜，一般温度也在150℃以上。

3.  通过特殊的靶材比如95:5或97:3的氧化铟锡靶材，通入特殊气体如氢气、氮气等低温制备ITO膜。此镀膜方式不足在于，对氧化铟锡靶材有要求，需要特殊比例的氧化铟锡靶材，还需要通入氢气、氮气等特殊反应气体。

另外，现有的一些所谓低温镀膜，通常遇到的问题是低温状态或室温状态如何结晶，以及如何获得低电阻率ITO膜。为降低电阻率，有些采用更低含锡量的靶材，如氧化铟：氧化锡为95：5或者97：3，但是牺牲了透过率，使透过率不高。

发明内容

有鉴于此，提供一种低电阻率、镀膜质量高、结晶性好的氧化铟锡低温沉积方法及系统。

一种氧化铟锡低温沉积方法，其包括以下步骤：

将基材置于真空镀膜室内，所述真空镀膜室内具有氧化铟锡靶材，在所述氧化铟锡靶材周围安装冷却脱汽装置；

用冷却脱汽装置对基材进行脱汽处理，去除水汽和杂质气体；

控制所述氧化铟锡靶材的表面磁场强度在600-900高斯范围内，在100℃温度以下和工作气体下进行真空镀膜，在基材上形成氧化铟锡镀膜。

以及，一种氧化铟锡低温沉积系统，其包括真空镀膜室、氧化铟锡靶材以及与靶材位置相对的基材支撑装置，还包括用于致冷去除真空镀膜室内水汽和杂质气体的冷却脱汽装置以及磁场装置，所述冷却脱汽装置安装于氧化铟锡靶材周围，所述磁场装置发出的磁场使氧化铟锡靶材的表面磁场强度在600-900高斯范围内。

上述氧化铟锡低温沉积方法和系统在低温，即不超过100℃下进行，通过冷却脱汽装置致冷，捕捉基材和氧化铟锡靶材周围的水汽和杂质气体，保证氧化铟锡在沉积的过程中，水汽和杂质气体对其影响很小，从而提高镀膜质量。由于脱汽装置设于真空镀膜室内，不需要额外设备以及单独工序和场所，节省场地和工序，提高生产效率。另外，磁场装置控制所述氧化铟锡靶材的表面磁场强度在600-900高斯范围内，这样可保证氧化铟锡在比较低的电压和温度下沉积，其电子沉积能量比较大，质量比较高，电阻率也相对比较低，氧化铟锡结晶性好。

附图说明

图1为本发明实施例的氧化铟锡低温沉积系统结构示意图。

图2为本发明实施例的氧化铟锡低温沉积方法得到的ITO镀膜测得的X-RAY衍射峰图。

具体实施方式

以下将结合具体实施例和附图对本发明进行详细说明。

请参阅图1，示出本发明实施例提供的氧化铟锡低温沉积系统10，其包括真空镀膜室12、氧化铟锡靶材13以及与靶材13位置相对的基材支撑装置14，还包括用于致冷去除真空镀膜室12内水汽和杂质气体的冷却脱汽装置15以及磁场装置17，所述冷却脱汽装置15安装于氧化铟锡靶材13周围，磁场装置17发出的磁场使氧化铟锡靶材的表面磁场强度在600-900高斯范围内。