[发明专利]感光性聚硅氧烷组合物及其形成的薄膜与包含薄膜的装置在审
申请号: | 201410376517.0 | 申请日: | 2014-08-01 |
公开(公告)号: | CN104375381A | 公开(公告)日: | 2015-02-25 |
发明(设计)人: | 吴明儒;施俊安 | 申请(专利权)人: | 奇美实业股份有限公司 |
主分类号: | G03F7/075 | 分类号: | G03F7/075;G03F7/004 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 姚亮 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 感光性 聚硅氧烷 组合 及其 形成 薄膜 包含 装置 | ||
1.一种感光性聚硅氧烷组合物,包含:
聚硅氧烷聚合物A;
邻萘醌二迭氮磺酸酯B;
热碱产生剂C;以及
溶剂D;
其中,所述热碱产生剂C包含下列结构式1所示的化合物或其盐类衍生物及/或下列结构式2所示的化合物及/或下列结构式3所示的化合物:
结构式1
其中:
m表示2至6的整数;
R1、R2各自独立表示氢原子、碳数1至8的烷基、碳数1至6的具有或不具有取代基的羟烷基、或碳数2至12的二烷基胺基;
结构式2
其中:
R3、R4、R5及R6各自独立表示氢原子、碳数1至8的具有或不具有取代基的烷基、碳数3至8的具有或不具有取代基的环烷基、碳数1至8的具有或不具有取代基的烷氧基、碳数2至8的具有或不具有取代基的烯基、碳数2至8的具有或不具有取代基的炔基、具有或不具有取代基的芳基或具有或不具有取代基的杂环基;
R7及R8各自独立表示氢原子、碳数1至8的具有或不具有取代基的烷基、碳数3至8的具有或不具有取代基的环烷基、碳数1至8的具有或不具有取代基的烷氧基、碳数2至8的具有或不具有取代基的烯基、碳数2至8的具有或不具有取代基的炔基、具有或不具有取代基的芳基或具有或不具有取代基的杂环基、或彼此结合形成具有或不具有取代基的单环;或彼此结合形成具有或不具有取代基的多环;
R9表示碳数1至12的具有或不具有取代基的烷基、碳数3至12的具有或不具有取代基的环烷基、碳数2至12的具有或不具有取代基的烯基、碳数2至12的具有或不具有取代基的炔基、具有或不具有碳数1至3的烷基取代基的芳基、具有或不具有碳数1至3的烷基取代基的芳烷基或具有或不具有取代基的杂环基,但R9的碳原子总数为12以下;
结构式3
其中:
R3、R4、R5及、R6、R7及R8的定义如结构式2中的相应定义所述;
R10表示碳数1至12的具有或不具有取代基的亚烷基、碳数3至12的具有或不具有取代基的亚环烷基、碳数2至12的具有或不具有取代基的亚烯基、碳数2至12的具有或不具有取代基的亚炔基、具有或不具有碳数1至3的烷基取代基的亚芳基、具有或不具有碳数1至3的烷基取代基的亚芳烷基或具有或不具有取代基的杂环基,但R10的碳原子总数为12以下。
2.根据权利要求1所述的感光性聚硅氧烷组合物,其中,所述聚硅氧烷聚合物A为含有下列结构式4所示的硅烷单体的硅烷单体组份经加水分解及部份缩合而得的共聚物;
Si(Ra)w(ORb)4-w 结构式4
其中:
至少一个Ra表示经酸酐基取代的烷基、经环氧基取代的烷基及/或经环氧基取代的烷氧基,且其余Ra表示氢原子、碳数1至10的烷基、碳数2至10的烯基、碳数6至15的芳基,Ra各自相同或不同;
Rb表示氢原子、碳数1至6的烷基、碳数1至6的酰基、碳数6至15的芳基,Rb各自相同或不同;
w表示0至3的整数。
3.根据权利要求1所述的感光性聚硅氧烷组合物,其中,基于所述聚硅氧烷聚合物A的使用量为100重量份,所述邻萘醌二迭氮磺酸酯B的使用量为1至30重量份。
4.根据权利要求1所述的感光性聚硅氧烷组合物,其中,基于所述聚硅氧烷聚合物A的使用量为100重量份,所述热碱产生剂C的使用量为0.05至20重量份。
5.根据权利要求1所述的感光性聚硅氧烷组合物,其中,基于所述聚硅氧烷聚合物A的使用量为100重量份,所述溶剂D的使用量为100至1200重量份。
6.一种于一基板上形成薄膜的方法,其包含使用权利要求1-5任一项所述的感光性聚硅氧烷组合物施予所述基板上的步骤。
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