[发明专利]感光性聚硅氧烷组合物及其形成的薄膜与包含薄膜的装置

说明书

技术领域

本发明有关于一种适用于液晶显示组件、有机EL显示组件等的TFT基板用平坦化膜、层间绝缘膜或光波导路的芯材或包覆材的感光性聚硅氧烷组合物，及由其形成的薄膜、及包含该薄膜的装置。

背景技术

近年来，在半导体工业、液晶显示器或有机电激发光显示器等领域中，随着尺寸的日益缩小化，对于微影工艺中所需的图案的微细化亦要求日高。为了达到微细化的图案，一般是透过具有高解析及高感度的正型感光性材料经曝光及显影而形成，其中，以聚硅氧烷聚合物为成分的正型感光性材料渐成为业界使用的主流。

日本特开2008-107529号揭示一种可形成高透明度的硬化膜的感光性树脂组合物。该组合物中使用含环氧丙烷基或丁二酸酐基的聚硅氧烷聚合物，其于共聚合时经开环反应形成亲水性的结构，虽可于稀薄碱性显影液下得到高溶解性，然而，该感光性树脂组合物的耐化性不佳，仍无法令业界所接收。

因此，如何同时达到目前业界对高耐化性的要求，为本技术领域中努力研究的目标。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明的目的在于利用特殊聚硅氧烷聚合物及热碱产生剂的成分，而提供一种耐化性佳的感光性聚硅氧烷组合物。

本发明的目的还在于提供一种于一基板上形成薄膜的方法、一种基板上的薄膜以及一种包含该薄膜的装置。

为达上述目的，本发明提供一种感光性聚硅氧烷组合物，其包含：

聚硅氧烷聚合物(A)；

邻萘醌二迭氮磺酸酯(B)；

热碱产生剂(C)；以及

溶剂(D)；

其中，所述热碱产生剂(C)包含下列结构式(1)所示的化合物或其盐类衍生物及/或下列结构式(2)所示的化合物及/或下列结构式(3)所示的化合物：

结构式(1)

其中：

m表示2至6的整数；

R¹、R²各自独立表示氢原子、碳数1至8的烷基、碳数1至6的具有或不具有取代基的羟烷基、或碳数2至12的二烷基胺基；

结构式(2)

其中：

R³、R⁴、R⁵及R⁶各自独立表示氢原子、碳数1至8的具有或不具有取代基的烷基、碳数3至8的具有或不具有取代基的环烷基、碳数1至8的具有或不具有取代基的烷氧基、碳数2至8的具有或不具有取代基的烯基、碳数2至8的具有或不具有取代基的炔基、具有或不具有取代基的芳基或具有或不具有取代基的杂环基；

R⁷及R⁸各自独立表示氢原子、碳数1至8的具有或不具有取代基的烷基、碳数3至8的具有或不具有取代基的环烷基、碳数1至8的具有或不具有取代基的烷氧基、碳数2至8的具有或不具有取代基的烯基、碳数2至8的具有或不具有取代基的炔基、具有或不具有取代基的芳基或具有或不具有取代基的杂环基、或彼此结合形成具有或不具有取代基的单环；或彼此结合形成具有或不具有取代基的多环，但R⁷或R⁸的碳原子总数为10以下；

R⁹表示碳数1至12的具有或不具有取代基的烷基、碳数3至12的具有或不具有取代基的环烷基、碳数2至12的具有或不具有取代基的烯基、碳数2至12的具有或不具有取代基的炔基、具有或不具有碳数的1至3的烷基取代基的芳基、具有或不具有碳数1至3的烷基取代基的芳烷基或具有或不具有取代基的杂环基，但R⁹的碳原子总数为12以下；

结构式(3)

其中：

R³、R⁴、R⁵及、R⁶、R⁷及R⁸的定义如结构式(2)中的相应定义所述；

R¹⁰表示碳数1至12的具有或不具有取代基的亚烷基、碳数3至12的具有或不具有取代基的亚环烷基、碳数2至12的具有或不具有取代基的亚烯基、碳数2至12的具有或不具有取代基的亚炔基、具有或不具有碳数1至3的烷基取代基的亚芳基、具有或不具有碳数1至3的烷基取代基的亚芳烷基或具有或不具有取代基的杂环基，但R¹⁰的碳原子总数为12以下。

在上述的感光性聚硅氧烷组合物中，优选地，所述聚硅氧烷聚合物(A)为含有下列结构式(4)所示的硅烷单体的硅烷单体组份经加水分解及部份缩合而得的共聚物；