[发明专利]一种对缺陷进行选择性检测的方法有效
申请号: | 201410377341.0 | 申请日: | 2014-08-01 |
公开(公告)号: | CN104103541B | 公开(公告)日: | 2019-07-09 |
发明(设计)人: | 倪棋梁;陈宏璘;龙吟 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吴世华;林彦之 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 缺陷 进行 选择性 检测 方法 | ||
本发明提供了一种对缺陷进行选择性检测的方法,包括:通过缺陷检测设备检测晶圆中的每个芯片;对检测到的芯片上的缺陷的位置数据进行记录;将缺陷的位置数据选择性地设置于缺陷检测设备中;缺陷检测设备根据位置数据对后续晶圆中的芯片的缺陷进行选择性检测。从而能够实现对缺陷的定位,提高缺陷检测的效率和精度、以及降低缺陷分析的难度。
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,具体涉及一种对缺陷进行选择性检测的方法。
背景技术
一颗芯片的制作工艺往往包含几百步的工序,主要的工艺模块可以分为光刻、刻蚀、离子注入、薄膜生长和清洗等几大部分,在实际的生产过程中任何环节的微小错误都将导致整个芯片最终电学性能的失效。特别是随着集成电路关键尺寸的不断缩小,其对工艺控制的要求就越来越严格,所以为能在实际生产过程中及时发现和解决问题都需要配置有高灵敏度光学和电子束的缺陷检测设备对产品进行在线检测,然后再通过电子显微镜对缺陷进行成像和元素成分的分析。光学缺陷检测的基本工作原理是将芯片上的光学图像转换化成为由不同亮暗灰阶表示的数据图像,然后再通过相邻芯片上的数据图像特征的比较来检测产生异常的缺陷所在位置。由于晶圆的制造工艺中很多的材料对于光的入射都是透明的,如图1所示,为电子显微镜下扫描到的当层芯片的示意图,可以发现在电子显微镜下扫描到的当层芯片没有异常,然而,在光学镜检测下前层图形上产生异常的缺陷,如图2所示,为光学缺陷检测设备检测到的前层芯片的示意图,图2中,黑线框框住的区域为产生异常的缺陷位置。一方面,在晶圆上某一层工艺上检测到的缺陷异常点,在后续工序之后的检测中对同样位置的缺陷还是不断地被检测到,这样就会造成后续数据分析难度的大大提升。另一方面,由于不同工艺的特点在芯片的某些特定的位置容易产生在光学检测下信号较弱的缺陷,如图3所示,为光学缺陷检测设备检测到的信号很弱的缺陷的示意图,图中黑线框框住的区域为缺陷位置。此类信号较弱的缺陷的检测往往需要将检测的灵敏度调到很高才能发现,但这样就会产生很多的噪音,从而造成对缺陷检测的干扰,降低缺陷检测的精度。
发明内容
为了克服以上问题,本发明旨在提供一种对缺陷进行选择性检测的方法,从而提高缺陷检测的精度和降低数据分析的难度。
为了实现上述目的,本发明提供给了一种对缺陷进行选择性检测的方法,其包括:
通过缺陷检测设备检测晶圆中的每个芯片;
对检测到的芯片上的缺陷的位置数据进行记录;
将所述缺陷的位置数据选择性地设置于缺陷检测设备中;
缺陷检测设备根据所述位置数据对后续晶圆中的芯片的缺陷进行选择性检测。
优选地,所述对检测到的芯片上的缺陷的位置数据进行记录,具体包括:
在缺陷检测设备上设定各个芯片在晶圆上的分布图,并对每个芯片进行唯一编号;
设置每个芯片的坐标系;
对检测到的芯片上的缺陷进行唯一编号,并找到每个缺陷在所在芯片的坐标系中的坐标;
将每个缺陷所对应的坐标、缺陷的编号、以及芯片的编号作为每个缺陷的一组位置数据;
优选地,所述将所述缺陷的位置数据选择性地设置于所述缺陷检测设备中,具体包括:将后续不要被再次检测到的缺陷所对应的位置数据设置于所述缺陷检测设备中;
所述缺陷检测设备根据所述位置数据对后续晶圆中的芯片的缺陷进行选择性检测,具体包括:
首先,所述缺陷检测设备对后续检测的芯片的缺陷数据图形与所述位置数据进行对比,将与所述位置数据中的坐标相近的区域的缺陷过滤掉;或者所述缺陷检测设备将所述不要被再次检测到的缺陷根据其位置数据进行分类,将后续具有相同类型的缺陷过滤掉;
然后,所述缺陷检测设备对未过滤掉的缺陷进行检测;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造