[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

第1电极；

第2电极；

第1导电型的第1半导体区域，设在上述第1电极与上述第2电极之间；

第1导电型的第2半导体区域，设在上述第1半导体区域与上述第1电极之间，杂质浓度比上述第1半导体区域高；

第2导电型的第3半导体区域，设在上述第1半导体区域与上述第2电极之间；

第2导电型的第5半导体区域，设在上述第1半导体区域与上述第2电极之间；

第1导电型的第4半导体区域，设在上述第3半导体区域与上述第2电极之间、以及上述第5半导体区域与上述第2电极之间，杂质浓度比上述第1半导体区域高；

第3电极，经由第1绝缘膜而与上述第1半导体区域、上述第3半导体区域及上述第4半导体区域相接；

第2绝缘膜，与上述第1半导体区域、上述第5半导体区域及上述第4半导体区域相接；

第3绝缘膜，设置在上述第3电极与上述第2电极之间；以及

第4绝缘膜，设置在上述第2绝缘膜与上述第2电极之间，

上述第3电极存在于上述第1绝缘膜与上述第3绝缘膜之间，

上述第2绝缘膜和上述第4绝缘膜之间不存在电极，上述第2绝缘膜和上述第4绝缘膜直接相接，

上述第2电极与上述第3绝缘膜及上述第4绝缘膜直接相接，

上述第3半导体区域及上述第5半导体区域与上述第2电极电连接。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述第3半导体区域和上述第5半导体区域形成为相同的区域。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述第5半导体区域与上述第2绝缘膜的界面具有固定电荷。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述第5半导体区域的和上述第2绝缘膜相接的部分的杂质浓度比上述第5半导体区域的和上述第1半导体区域相接的部分的杂质浓度低。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述第5半导体区域的和上述第2绝缘膜相接的部分的杂质浓度与上述第3半导体区域的和上述第1绝缘膜相接的部分的杂质浓度相同；

上述第5半导体区域的和上述第1半导体区域相接的部分的杂质浓度与上述第3半导体区域的和上述第1半导体区域相接的部分的杂质浓度相同。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在热平衡状态下，上述第5半导体区域的和上述第2绝缘膜相接的部分与上述第1半导体区域之间的能量势垒，比上述第5半导体区域的和上述第1半导体区域相接的部分与上述第1半导体区域之间的能量势垒低。

7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在热平衡状态下，上述第5半导体区域的和上述第2绝缘膜相接的部分与上述第1半导体区域之间的能量势垒、和上述第5半导体区域的和上述第1半导体区域相接的部分与上述第1半导体区域之间的能量势垒之差是0.4V以上。

8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在热平衡状态下，上述第5半导体区域的和上述第2绝缘膜相接的部分与上述第1半导体区域之间的能量势垒是2.6eV以下。

9.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述第3电极和上述第2绝缘膜设有多个，上述第3电极的数量与上述第2绝缘膜的数量不同。

10.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述第1半导体区域、上述第3半导体区域及上述第4半导体区域在从上述第1电极朝向上述第2电极的方向上排列。

11.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述第1半导体区域、上述第3半导体区域及上述第4半导体区域在与从上述第1电极朝向上述第2电极的方向交叉的方向上排列。